[实用新型]三维存储器有效
| 申请号： | 201821558971.8 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN209029384U | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李远;潘杰;万先进;朱宏斌;鲍琨 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器。所述三维存储器包括：衬底，具有堆叠结构以及沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的沟道孔，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干层栅极层；NAND串，覆盖于所述沟道孔的侧壁表面；沟道孔插塞，位于所述沟道孔内，所述NAND串的顶部与所述沟道孔插塞电连接，所述沟道孔插塞的材料与所述栅极层的材料相同。本实用新型简化了三维存储器的制造步骤，降低了三维存储器的制造成本，并有助于改善三维存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 三维存储器 沟道 堆叠结构 插塞 衬底 本实用新型 栅极层 垂直 半导体制造技术 侧壁表面 依次排列 制造成本 电连接 贯穿 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底，具有堆叠结构以及沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的沟道孔，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干层栅极层；NAND串，覆盖于所述沟道孔的侧壁表面；沟道孔插塞，位于所述沟道孔内，所述NAND串的顶部与所述沟道孔插塞电连接，所述沟道孔插塞的材料与所述栅极层的材料相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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