[实用新型]一种高稳定性单晶硅压差传感器有效
| 申请号： | 201821535511.3 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN208606931U | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘爽;张立;陈志伟 | 申请（专利权）人： | 刘爽 |
| 主分类号： | G01L13/06 | 分类号： | G01L13/06 |
| 代理公司： | 北京华识知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 汪浩 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高稳定性单晶硅压差传感器，属于传感器领域。一种高稳定性单晶硅压差传感器，单晶硅传感器芯片左右两端分别与传感器正压腔和负压腔固定连接，传感器正压腔上设置有正压腔进油管，传感器负压腔设置有负压腔进油管，单晶硅传感器芯片通过传感器连接通道A与传感器接口A连接，通过传感器连接通道与传感器接口B连接；传感器正压腔左端设置有压力变送器A，其通过测量管路A与单晶硅传感器芯片固定连接，传感器负压腔右端设置有压力变送器B，其通过测量管路B与单晶硅传感器芯片固定连接；使用本实用新型能够使得压差传感器的静压性能得到改善，并且能够在比较复杂的工况下工作。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 传感器 传感器芯片 压差传感器 负压腔 正压腔 高稳定性 传感器连接通道 本实用新型 传感器接口 测量管路 变送器 进油管 有压力 传感器领域 静压 左端 | ||
【主权项】：
1.一种高稳定性单晶硅压差传感器，包括传感器正压腔（1）和传感器负压腔（2），其特征在于：所述传感器正压腔（1）右侧与单晶硅传感器芯片（3）左侧固定连接，所述单晶硅传感器芯片（3）右侧与传感器负压腔（2）左侧固定连接，所述传感器正压腔（1）上端左侧设置有正压腔进油管（12），所述传感器负压腔（2）上端右侧设置有负压腔进油管（13），所述传感器正压腔（1）和传感器负压腔（2）里设置有硅油（14），所述单晶硅传感器芯片（3）与传感器接口A（4）之间通过传感器连接通道A（6）固定连接，所述单晶硅传感器芯片（3）与传感器接口B（5）之间通过传感器连接通道B（7）固定连接；所述传感器正压腔（1）内部左端设置有压力变送器A（15），所述压力变送器A（15）右侧中部与测量管路A（19）一端固定连接，所述测量管路A（19）另一端与单晶硅传感器芯片（3）左侧中部固定连接，所述传感器负压腔（2）内部右端设置有压力变送器B（16），所述压力变送器B（16）左侧中部与测量管路B（20）一端固定连接，所述测量管路B（20）另一端与单晶硅传感器芯片（3）右侧中部固定连接。
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