[实用新型]一种高稳定性单晶硅压差传感器有效

专利信息
申请号: 201821535511.3 申请日: 2018-09-20
公开(公告)号: CN208606931U 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 刘爽;张立;陈志伟 申请(专利权)人: 刘爽
主分类号: G01L13/06 分类号: G01L13/06
代理公司: 北京华识知识产权代理有限公司 11530 代理人: 汪浩
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 单晶硅 传感器 传感器芯片 压差传感器 负压腔 正压腔 高稳定性 传感器连接通道 本实用新型 传感器接口 测量管路 变送器 进油管 有压力 传感器领域 静压 左端
【说明书】:

实用新型公开了一种高稳定性单晶硅压差传感器,属于传感器领域。一种高稳定性单晶硅压差传感器,单晶硅传感器芯片左右两端分别与传感器正压腔和负压腔固定连接,传感器正压腔上设置有正压腔进油管,传感器负压腔设置有负压腔进油管,单晶硅传感器芯片通过传感器连接通道A与传感器接口A连接,通过传感器连接通道与传感器接口B连接;传感器正压腔左端设置有压力变送器A,其通过测量管路A与单晶硅传感器芯片固定连接,传感器负压腔右端设置有压力变送器B,其通过测量管路B与单晶硅传感器芯片固定连接;使用本实用新型能够使得压差传感器的静压性能得到改善,并且能够在比较复杂的工况下工作。

技术领域

本实用新型涉及传感器领域,更具体地说,涉及一种高稳定性单晶硅压差传感器。

背景技术

压差传感器是工业领域中,测量气体或液体的压力差的常用工具,通常应用于工业过程中以测量各种工业过程流体中的压力,例如水泥、液体水汽和化学制品气体、纸浆、石油、气体、制药、食物和其它的流体式加工工厂;压差传感器通常包括一堆过程流体压力输入端,其可操作地连接到相应两个输入端之间的传感器芯片中,压差传感器通常还包括一堆隔离膜片,定位在过程流体入口中并且隔离压差传感器与感测的流体,压力通过在每个隔离膜片延伸到压差传感器的通路中携载的大致不能压缩的填充流体从过程流体传送到压差传感器;在现有技术中的的压差传感器在检测的过程中,往往由于传感器的内部结构以及芯片的布局,导致传感器的静压性能不佳,从而导致传感器在工作过程中的工作稳定性不佳,同时,传统的压差传感器的过压性能通常由传感器芯片而决定,进而导致压差传感器的过压性能受限,难以使得传感器适应更为复杂的工作环境。

实用新型内容

1.要解决的技术问题

针对现有技术中存在的以下问题:

(1)现有的压差传感器静压性能不佳。

本实用新型的目的在于提供一种高稳定性单晶硅压差传感器,它可以解决以上技术问题。

2.技术方案

为解决上述问题,本实用新型采用如下的技术方案。

一种高稳定性单晶硅压差传感器,包括传感器正压腔和传感器负压腔,所述传感器正压腔右侧与单晶硅传感器芯片左侧固定连接,所述单晶硅传感器芯片右侧与传感器负压腔左侧固定连接,所述传感器正压腔上端左侧设置有正压腔进油管,所述传感器负压腔上端右侧设置有负压腔进油管,所述传感器正压腔和传感器负压腔里设置有硅油,所述单晶硅传感器芯片与传感器接口A之间通过传感器连接通道A固定连接,所述单晶硅传感器芯片与传感器接口B之间通过传感器连接通道B固定连接;所述传感器正压腔内部左端设置有压力变送器A,所述压力变送器A右侧中部与测量管路A一端固定连接,所述测量管路A另一端与单晶硅传感器芯片左侧中部固定连接,所述传感器负压腔内部右端设置有压力变送器B,所述压力变送器B左侧中部与测量管路B一端固定连接,所述测量管路B另一端与单晶硅传感器芯片右侧中部固定连接。

优选地,所述单晶硅传感器芯片上端与传感器连接通道A之间设置有芯片硅膜区A,所述单晶硅传感器芯片下端与传感器连接通道B之间设置有芯片硅膜区B;通过这样的设置,实现了单晶硅传感器芯片的安装,硅膜材质亦可适用于传感器连接通道A和传感器连接通道B的安装与布局,从而使得传感器内部可实现更为便捷的安装与调试。

优选地,所述传感器正压腔左侧设置有隔离波纹片A,所述传感器负压腔右侧设置有隔离波纹片B;通过这样的设置,可通过隔离波纹片A和隔离波纹片B将传感器壳体外部的被测介质与传感器壳体内部的硅油相互隔离,以保证传感器的工作性能。

优选地,所述传感器正压腔和单晶硅传感器芯片之间设置有过压保护膜A,所述传感器负压腔和单晶硅传感器芯片之间设置有过压保护膜B;通过这样的设置,使得单晶硅传感器芯片得以受到保护,改善它的过压性能,可以加强传感器的检测时的稳定性,使其可适用于更为复杂的工况。

3.有益效果

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘爽,未经刘爽许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821535511.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top