[实用新型]浅沟槽隔离结构和半导体器件有效
| 申请号： | 201821502360.1 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN208819860U | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 朱梦娜 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构和半导体器件，可以在半导体衬底以上的介电材料层的侧壁上形成绝缘侧墙，由此来消除浅沟槽隔离结构的边沟现象，避免造成元件漏电等问题，改善器件的可靠性，适用于集成电路存储器等半导体器件产品的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 浅沟槽隔离结构 半导体器件 集成电路存储器 本实用新型 介电材料层 漏电 边沟现象 绝缘侧墙 侧壁 衬底 半导体 制造 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：介电材料层，填充于半导体衬底的沟槽中，且所述介电材料层的顶表面高于半导体衬底的顶表面而形成凸出侧壁；以及，绝缘侧墙，形成于所述介电材料层的所述凸出侧壁上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
