[实用新型]大功率低容二极管的框架结构

摘要

本实用新型公开了大功率低容二极管的框架结构，包括第一框架和第二框架，所述第一框架和第二框架均设置于黑胶内，所述第一框架和第二框架贯穿黑胶并延伸至黑胶外部的一端分别设置有第一引脚和第二引脚，本实用新型涉及二极管技术领域。该大功率低容二极管的框架结构，工作二极管芯片增加了上拉下拉双二极管结构实现降容，降容二极管是采用容值较低的快恢复二极管芯片，并且因为快恢复二极管高速特性，在响应速度上能与工作二极管芯片匹配，从而能实现大功率和低容值得而兼之的效果，通过增加了一个连接片，使得该框架结构具有推广意义，且散热片能够及时将二极管工作产生的热量散出，增加了二极管的使用寿命。

主权项

1.大功率低容二极管的框架结构，包括第一框架(1)和第二框架(13)，其特征在于：所述第一框架(1)和第二框架(13)均设置于黑胶(11)内，所述第一框架(1)和第二框架(13)贯穿黑胶(11)并延伸至黑胶(11)外部的一端分别设置有第一引脚(5)和第二引脚(15)，所述第一框架(1)的内部设置有第一压片部(6)，所述第一压片部(6)的底部通过焊料(2)固定连接有工作二极管芯片(3)，所述第一压片部(6)的一端连接有过渡部(7)，所述过渡部(7)远离第一压片部(6)的一端连接有第二压片部(8)，所述第二压片部(8)的底部通过焊料(2)焊接有第一降容二极管芯片(12)，所述第一降容二极管芯片(12)的底部通过焊料(2)焊接有第三压片部(9)，所述第三压片部(9)的底部通过焊料(2)固定连接有第二降容二极管芯片(14)，所述工作二极管芯片(3)和第二降容二极管芯片(14)的底部均通过焊料(2)焊接有连接片(4)，所述黑胶(11)的表面设置有散热片(10)，所述散热片(10)的内部设开设有散热孔(16)。