[实用新型]大功率低容二极管的框架结构

说明书

本实用新型公开了大功率低容二极管的框架结构，包括第一框架和第二框架，所述第一框架和第二框架均设置于黑胶内，所述第一框架和第二框架贯穿黑胶并延伸至黑胶外部的一端分别设置有第一引脚和第二引脚，本实用新型涉及二极管技术领域。该大功率低容二极管的框架结构，工作二极管芯片增加了上拉下拉双二极管结构实现降容，降容二极管是采用容值较低的快恢复二极管芯片，并且因为快恢复二极管高速特性，在响应速度上能与工作二极管芯片匹配，从而能实现大功率和低容值得而兼之的效果，通过增加了一个连接片，使得该框架结构具有推广意义，且散热片能够及时将二极管工作产生的热量散出，增加了二极管的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及二极管技术领域，具体为大功率低容二极管的框架结构。

背景技术

二极管，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能，而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器，大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能，二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过，反向时阻断。

现有的二极管一般都是单芯片结构，性能和功率较低，在一些特定场合中达不到使用要求，且大多二极管容量较高，使用时间长，会导致二极管产生的热量散不出去，影响二极管的使用寿命。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了大功率低容二极管的框架结构，解决了二极管功率低、容量高和二极管产生的量热散不出去的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：大功率低容二极管的框架结构，包括第一框架和第二框架，所述第一框架和第二框架均设置于黑胶内，所述第一框架和第二框架贯穿黑胶并延伸至黑胶外部的一端分别设置有第一引脚和第二引脚，所述第一框架的内部设置有第一压片部，所述第一压片部的底部通过焊料固定连接有工作二极管芯片，所述第一压片部的一端连接有过渡部，所述过渡部远离第一压片部的一端连接有第二压片部，所述第二压片部的底部通过焊料焊接有第一降容二极管芯片，所述第一降容二极管芯片的底部通过焊料焊接有第三压片部，所述第三压片部的底部通过焊料固定连接有第二降容二极管芯片，所述工作二极管芯片和第二降容二极管芯片的底部均通过焊料焊接有连接片，所述黑胶的表面设置有散热片，所述散热片的内部设开设有散热孔。

优选的，所述工作二极管芯片为普通TVS芯片，所述第一降容二极管芯片和第二降容二极管芯片均为快恢复二极管芯片。

优选的，所述第一引脚和第二引脚的材质为铜。

优选的，所述黑胶为一种防护壳。

优选的，所述第一框架和第二框架的表面均设置有保护膜。

(三)有益效果

本实用新型提供了大功率低容二极管的框架结构。具备以下有益效果：

(1)、该大功率低容二极管的框架结构，通过所述第一压片部的底部通过焊料固定连接有工作二极管芯片，第一压片部的一端连接有过渡部，过渡部远离第一压片部的一端连接有第二压片部，第二压片部的底部通过焊料焊接有第一降容二极管芯片，第一降容二极管芯片的底部通过焊料焊接有第三压片部，第三压片部的底部通过焊料固定连接有第二降容二极管芯片，工作二极管芯片增加了上拉下拉双二极管结构实现降容，降容二极管是采用容值较低的快恢复二极管芯片，并且因为快恢复二极管高速特性，在响应速度上能与工作二极管芯片匹配，从而能实现大功率和低容值得而兼之的效果。

(2)、该大功率低容二极管的框架结构，通过工作二极管芯片和第二降容二极管芯片的底部均通过焊料焊接有连接片，黑胶的表面设置有散热片，散热片的内部设开设有散热孔，通过增加了一个连接片，是一种有推广意义的框架结构，且散热片能够及时将二极管工作产生的热量散出，增加了二极管的使用寿命。