[实用新型]强抗干扰LDO模块及抗干扰触摸检测电路

摘要

本实用新型公开了强抗干扰LDO模块及抗干扰触摸检测电路，包括偏置电路、带隙基准电路、负反馈电路和开环驱动电路，负反馈电路中运算放大器OP2的同相输入端与带隙基准电路输出端连接，输出端与N型晶体管NM2的栅极连接，N型晶体管NM2的源极通过串联的取样电阻R5和R6接地，运算放大器OP2的反相输入端连接到取样电阻R5和R6之间；偏置电路电源端和带隙基准电路电源端分别与外电源连接，外电源还分别与运算放大器OP2的电源端和N型晶体管NM2的漏极连接；开环驱动电路中N型MOS管NM3的漏极连接到外电源，栅极与运算放大器OP2的输出端连接，源极通过电阻R8和R7接地。本实用新型提高了抗电源干扰能力，提高了LDO输出级的高速驱动能力，结构简单易于实现，成本低廉。

主权项

1.强抗干扰LDO模块，其特征在于：包括偏置电路、带隙基准电路、负反馈电路和开环驱动电路，所述负反馈电路包括运算放大器OP2、N型晶体管NM2、取样电阻R5和R6，所述运算放大器OP2的同相输入端与带隙基准电路输出端连接，所述运算放大器OP2的输出端与所述N型晶体管NM2的栅极连接，所述N型晶体管NM2的源极通过串联的取样电阻R5和R6接地，所述运算放大器OP2的反相输入端连接到取样电阻R5和R6之间；所述偏置电路电源端和带隙基准电路的电源端分别与外电源VDD连接，所述外电源VDD还分别与所述运算放大器OP2的电源端和所述N型晶体管NM2的漏极连接；所述开环驱动电路包括N型MOS管NM3、电阻R7和R8，所述N型MOS管NM3的漏极连接到外电源VDD，栅极与所述运算放大器OP2的输出端连接，源极通过电阻R8和R7接地，以所述N型MOS管NM3的源极电压作为LDO模块的输出。