[实用新型]强抗干扰LDO模块及抗干扰触摸检测电路有效
申请号: | 201821456626.3 | 申请日: | 2018-09-06 |
公开(公告)号: | CN208636738U | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 苗小雨;梁文发 | 申请(专利权)人: | 深圳市中微半导体有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人: | 张景根 |
地址: | 518054 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抗干扰 带隙基准电路 电源端 外电源 放大器 触摸检测电路 本实用新型 负反馈电路 输出端连接 运算放大器 偏置电路 驱动电路 取样电阻 接地 与运算 开环 漏极 源极 反相输入端 抗电源干扰 同相输入端 高速驱动 栅极连接 输出端 输出级 电阻 串联 | ||
本实用新型公开了强抗干扰LDO模块及抗干扰触摸检测电路,包括偏置电路、带隙基准电路、负反馈电路和开环驱动电路,负反馈电路中运算放大器OP2的同相输入端与带隙基准电路输出端连接,输出端与N型晶体管NM2的栅极连接,N型晶体管NM2的源极通过串联的取样电阻R5和R6接地,运算放大器OP2的反相输入端连接到取样电阻R5和R6之间;偏置电路电源端和带隙基准电路电源端分别与外电源连接,外电源还分别与运算放大器OP2的电源端和N型晶体管NM2的漏极连接;开环驱动电路中N型MOS管NM3的漏极连接到外电源,栅极与运算放大器OP2的输出端连接,源极通过电阻R8和R7接地。本实用新型提高了抗电源干扰能力,提高了LDO输出级的高速驱动能力,结构简单易于实现,成本低廉。
技术领域
本实用新型属于集成电路技术领域,具体涉及强抗干扰LDO模块及抗干扰触摸检测电路。
背景技术
目前的家电领域,以及很多电子产品中都集成了触摸检测功能,触摸检测模块一般做成ASIC芯片或者嵌入MCU中。有一种触摸检测方式是基于RC振荡器频率变化的原理,每个触摸按键都对应着一个RC振荡器,当人手接触触摸按键时,触摸按键对地的等效电容会变大,与触摸按键相连的RC振荡器的频率和周期就会跟随变化,MCU系统定时采样这个RC振荡器输出的周期个数,根据这个周期个数变化来判断是否有触摸按键按下。这样的触摸检测方式具备灵敏度高,但它存在固有的缺点,抗干扰较弱。同时,由于RC环形振荡器本身对电源噪声很敏感,电源噪声的波动很容易引起触摸检测模块发生误检测,严重影响到触摸检测的准确性以及其功能的实现。
实用新型内容
针对现有技术中所存在的不足,本实用新型提供了一种能够大幅提高抗电源干扰能力及电源抑制能力、提高LDO输出级的高速驱动能力、结构简单易于实现、成本低廉的一种强抗干扰LDO模块及抗干扰触摸检测电路。
强抗干扰LDO模块,包括偏置电路、带隙基准电路、负反馈电路和开环驱动电路,所述负反馈电路包括运算放大器OP2、N型晶体管NM2、取样电阻R5和R6,所述运算放大器OP2的同相输入端与带隙基准电路输出端连接,所述运算放大器OP2的输出端与所述N型晶体管NM2的栅极连接,所述N型晶体管NM2的源极通过串联的取样电阻R5和R6接地,所述运算放大器OP2的反相输入端连接到取样电阻R5和R6之间;所述偏置电路电源端和带隙基准电路的电源端分别与外电源VDD连接,所述外电源VDD还分别与所述运算放大器OP2的电源端和所述N型晶体管NM2的漏极连接;
所述开环驱动电路包括N型MOS管NM3、电阻R7和R8,所述N型MOS管NM3的漏极连接到外电源VDD,栅极与所述运算放大器OP2的输出端连接,源极通过电阻R8和R7接地,以所述N型MOS管NM3的源极电压作为LDO模块的输出。
进一步地,所述运算放大器OP2的反相输入端通过电容C2接地。
进一步地,还包括模拟滤波电路,所述模拟滤波电路的输入端与外电源VDD连接,所述模拟滤波电路的输出端VDD1作为电源分别与所述偏置电路电源端、带隙基准电路电源端、运算放大器OP2的电源端以及N型晶体管NM2的漏极连接。
进一步地,所述模拟滤波电路是RC低通滤波器。
进一步地,所述带隙基准电路包括运算放大器OP1、N型晶体管NM1、PNP型三极管Q1、Q2、电阻R1、R2、R3、R4,所述运算放大器OP1的输出端与所述N型晶体管NM1的栅极连接;所述N型晶体管NM1的源极通过串联的电阻R1、R2、R4连接到三极管Q1的发射极,所述三极管Q1的基极与集电极连接并接地,所述N型晶体管NM1的源极还通过串联的电阻R1、R3连接到三极管Q2的发射极,所述三极管Q2的基极与集电极连接并接地;所述运算放大器OP1的同相输入端连接到电阻R3和三极管Q2之间,反相输入端连接到电阻R2和R4之间;所述运算放大器OP1的电源端和所述N型晶体管NM1的漏极连接作为带隙基准电路的电源端。
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