[实用新型]一种吸收式低通滤波器有效
申请号: | 201821408013.2 | 申请日: | 2018-08-30 |
公开(公告)号: | CN208316690U | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 李小珍;张磊;邢孟江;代传相;刘永红 | 申请(专利权)人: | 邢孟江 |
主分类号: | H03H7/00 | 分类号: | H03H7/00 |
代理公司: | 北京市盈科律师事务所 11344 | 代理人: | 罗东 |
地址: | 650200 云南省昆明市经开*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种吸收式低通滤波器,属于滤波器技术领域。本实用新型包括金属屏蔽层、设在金属屏蔽层上方的介质层Ⅰ、设在介质层Ⅰ上方的氧化层和设在氧化层上方的保护层,保护层内部设有电路结构层,所述电路结构层设有输入端口和输出端口,还包括并联连接于输入端口和输出端口的低通通路单元和高通吸收单元,低通通路单元连接有带外抑制吸收单元作为支路,带外抑制吸收单元的设置,不仅能起到增强带外抑制作用,还能减轻高通吸收单元的吸收工作量;高通吸收单元中第三电感和第四电感的设置可以调节过渡带处吸收效果和产生带外零点。 | ||
搜索关键词: | 吸收单元 高通 电感 本实用新型 低通滤波器 电路结构层 金属屏蔽层 带外抑制 输出端口 输入端口 保护层 介质层 吸收式 氧化层 滤波器技术 支路 并联连接 过渡带 增强带 吸收 工作量 | ||
【主权项】:
1.一种吸收式低通滤波器,其特征在于,包括金属屏蔽层、设在所述金属屏蔽层上方的介质层Ⅰ、设在所述介质层Ⅰ上方的氧化层和设在所述氧化层上方的保护层,所述保护层内部设有电路结构层,所述电路结构层设有输入端口和输出端口,还包括并联连接于输入端口和输出端口的低通通路单元和高通吸收单元,所述低通通路单元连接有带外抑制吸收单元作为支路。
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