[实用新型]一种吸收式低通滤波器有效

专利信息
申请号: 201821408013.2 申请日: 2018-08-30
公开(公告)号: CN208316690U 公开(公告)日: 2019-01-01
发明(设计)人: 李小珍;张磊;邢孟江;代传相;刘永红 申请(专利权)人: 邢孟江
主分类号: H03H7/00 分类号: H03H7/00
代理公司: 北京市盈科律师事务所 11344 代理人: 罗东
地址: 650200 云南省昆明市经开*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 吸收单元 高通 电感 本实用新型 低通滤波器 电路结构层 金属屏蔽层 带外抑制 输出端口 输入端口 保护层 介质层 吸收式 氧化层 滤波器技术 支路 并联连接 过渡带 增强带 吸收 工作量
【权利要求书】:

1.一种吸收式低通滤波器,其特征在于,包括金属屏蔽层、设在所述金属屏蔽层上方的介质层Ⅰ、设在所述介质层Ⅰ上方的氧化层和设在所述氧化层上方的保护层,所述保护层内部设有电路结构层,所述电路结构层设有输入端口和输出端口,还包括并联连接于输入端口和输出端口的低通通路单元和高通吸收单元,所述低通通路单元连接有带外抑制吸收单元作为支路。

2.根据权利要求1所述的吸收式低通滤波器,其特征在于:所述的低通通路单元由第一电感和第二电感串联而成。

3.根据权利要求1所述的吸收式低通滤波器,其特征在于:所述的带外抑制吸收单元由第一电容和第一电阻串联后连接接地端组成。

4.根据权利要求1所述的吸收式低通滤波器,其特征在于:所述的高通吸收单元包括串联在输入端口和输出端口之间的第二电容、第二电阻、第三电阻和第三电容,所述第二电阻和第三电阻之间连接有第四电容,所述第四电容连接接地端。

5.根据权利要求4所述的吸收式低通滤波器,其特征在于:所述第二电容和第二电阻间连接第三电感,所述第三电容和第三电阻间连接有第四电感,所述第三电感和第四电感均连接接地端。

6.根据权利要求1所述的吸收式低通滤波器,其特征在于:所述的输入端口和输出端口为GSG端口,其中G端口为探针地端口。

7.根据权利要求3-6任一项所述的吸收式低通滤波器,其特征在于:所述接地端和探针地端均采用嵌入介质层中的金属通孔连接金属屏蔽层。

8.根据权利要求1所述的吸收式低通滤波器,其特征在于:所述的电路结构层从下到上依次为第一金属层、介质层Ⅱ、第二金属层和第三金属层,所述第一金属层、介质层Ⅱ和第二金属层形成MIM电容,电感分布在第三金属层。

9.根据权利要求1所述的吸收式低通滤波器,其特征在于:所述保护层为介电常数小于2的low-k材料。

10.根据权利要求3或4所述的吸收式低通滤波器,其特征在于:所述电阻均由Ni和Cr组成。

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