[实用新型]一种复合磁场传感器有效
| 申请号： | 201821307442.0 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN208444837U | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 赵晓锋;郝建东;李易;王璐;温殿忠 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G01R33/02 |
| 代理公司： | 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙) 11426 | 代理人： | 刘冬梅;路永斌 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种复合磁场传感器，所述复合磁场传感器包括作为衬底的硅片(1)，在所述硅片(1)的上表面制作有两个N沟道场效应晶体管，分别为第一场效应晶体管(MOSFET1)和第二场效应晶体管(MOSFET2)，在所述(MOSFET1)和(MOSFET2)上分别集成有第一巨磁电阻(GMR1)和第二巨磁电阻(GMR2)，以实现对外加磁场的测量。本实用新型所述的复合磁场传感器，结构简单，体积小，集成化程度高，其制作工艺操作方便，易于实现，适合大规模工业应用。 | ||
| 搜索关键词： | 复合磁场 传感器 场效应晶体管 本实用新型 巨磁电阻 硅片 工业应用 制作工艺 集成化 上表面 体积小 衬底 磁场 测量 制作 | ||
【主权项】：
1.一种复合磁场传感器，其特征在于，所述复合磁场传感器包括作为衬底的硅片(1)，在所述硅片(1)的上表面制作有两个N沟道场效应晶体管，分别为第一场效应晶体管MOSFET1和第二场效应晶体管MOSFET2，在所述MOSFET1和MOSFET2上分别集成有第一巨磁电阻(GMR1)和第二巨磁电阻(GMR2)，以实现对外加磁场的测量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
