[实用新型]一种复合磁场传感器

权利要求书

1.一种复合磁场传感器，其特征在于，所述复合磁场传感器包括作为衬底的硅片(1)，在所述硅片(1)的上表面制作有两个N沟道场效应晶体管，分别为第一场效应晶体管MOSFET1和第二场效应晶体管MOSFET2，

在所述MOSFET1和MOSFET2上分别集成有第一巨磁电阻(GMR1)和第二巨磁电阻(GMR2)，以实现对外加磁场的测量。

2.根据权利要求1所述的复合磁场传感器，其特征在于，在所述硅片(1)的上表面设置有二氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的复合磁场传感器，其特征在于，在所述硅片(1)的上表面制作有N沟道场效应晶体管的源区和漏区，所述源区和漏区均为n⁺型掺杂，

在所述源区和漏区的表面蒸镀金属铝层，分别形成第一场效应晶体管(MOSFET1)的第一源极(S 1)和第一漏极(D1)、第二场效应晶体管(MOSFET2)的第二源极(S2)和第二漏极(D2)。

4.根据权利要求3所述的复合磁场传感器，其特征在于，在所述源区和漏区之间制作有栅极，包括第一场效应晶体管(MOSFET1)的第一栅极(G1)和第二场效应晶体管(MOSFET2)的第二栅极(G2)。

5.根据权利要求4所述的复合磁场传感器，其特征在于，在所述漏区的一侧制作有漏端负载电阻，包括第一漏端负载电阻(R_L1)和第二漏端负载电阻(R_L2)，

所述第一漏端负载电阻(R_L1)和第二漏端负载电阻(R_L2)均为n^-型掺杂。

6.根据权利要求5所述的复合磁场传感器，其特征在于，所述第一漏端负载电阻(R_L1)一端连接第一漏极(D1)，作为传感器第一输出端(V_OUT1)，所述第二漏端负载电阻(R_L2)一端连接第二漏极(D2)，作为传感器第二输出端(V_OUT2)。

7.根据权利要求6所述的复合磁场传感器，其特征在于，所述第一漏端负载电阻(R_L1)的另一端和第二漏端负载电阻(R_L2)的另一端相连并连接电源(V_DD)。

8.根据权利要求3所述的复合磁场传感器，其特征在于，在硅片(1)的上表面，位于第一栅极(G1)和第二栅极(G2)的一侧分别连接有第一巨磁电阻(GMR1)和第二巨磁电阻(GMR2)。

9.根据权利要求8所述的复合磁场传感器，其特征在于，所述第一巨磁电阻(GMR1)和第二巨磁电阻(GMR2)均为多层膜结构。

10.根据权利要求8所述的复合磁场传感器，其特征在于，所述巨磁电阻包括依次设置的第一磁性材料层、非磁性材料层和第二磁性材料层。