[实用新型]LED外延结构有效
| 申请号： | 201821283264.2 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN208507715U | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 冯猛;刘恒山;康双双;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种LED外延结构，所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、AlN缓冲层、uGaN层、N型GaN层、多量子阱发光层、AlInGaN/AlN超晶格扩散阻挡层、P型空穴注入层及P型GaN层。本实用新型在多量子阱发光层及P型空穴注入层之间引入AlInGaN/AlN超晶格扩散阻挡层，可以阻挡P型掺杂扩散，降低能带弯曲导致的导带能级下降，减少量子阱非辐射复合，提升量子阱内量子效率的效果从而提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 多量子阱发光层 本实用新型 扩散阻挡层 超晶格 量子阱 能级 非辐射复合 内量子效率 发光效率 衬底 导带 阻挡 扩散 引入 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、AlN缓冲层、uGaN层、N型GaN层、多量子阱发光层、AlInGaN/AlN超晶格扩散阻挡层、P型空穴注入层及P型GaN层。
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