[实用新型]LED外延结构有效
| 申请号： | 201821283264.2 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN208507715U | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 冯猛;刘恒山;康双双;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多量子阱发光层 本实用新型 扩散阻挡层 超晶格 量子阱 能级 非辐射复合 内量子效率 发光效率 衬底 导带 阻挡 扩散 引入 | ||
1.一种LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、AlN缓冲层、uGaN层、N型GaN层、多量子阱发光层、AlInGaN/AlN超晶格扩散阻挡层、P型空穴注入层及P型GaN层。
2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述AlInGaN/AlN超晶格扩散阻挡层包括若干周期堆叠的AlxInyGa(1-x-y)N层及AlN层，其中，x的取值范围为0～0.5，y的取值范围为0～0.3。
3.根据权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，所述AlInGaN/AlN超晶格扩散阻挡层包括3～8个周期堆叠的AlxInyGa(1-x-y)N层及AlN层，其中，所述AlxInyGa(1-x-y)N层的厚度范围为1～5nm，所述AlN层的厚度范围为0.1～5nm。
4.根据权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，所述AlxInyGa(1-x-y)N层的厚度为3nm，所述AlN层的厚度为1nm。
5.根据权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，在每一周期中，所述AlxInyGa(1-x-y)N层及所述AlN层具有第一厚度，若干周期中的若干第一厚度不相等。
6.根据权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，若干周期中的x、y的取值不相等。
7.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述多量子阱发光层包括若干周期堆叠的AlaInbGa(1-a-b)N量子阱层及InGaN量子阱层，其中，a的取值范围为0～0.2，b的取值范围为0～0.3。
8.根据权利要求7所述的LED外延结构，其特征在于，所述多量子阱发光层包括6-10个周期堆叠的AlaInbGa(1-a-b)N量子阱层及InGaN量子阱层，其中，所述AlaInbGa(1-a-b)N量子阱层的厚度范围为6～12nm，所述InGaN量子阱层的厚度范围为2～4nm。
9.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述uGaN层的厚度范围为2～4um，所述N型GaN层的厚度范围为2～4um，所述P型空穴注入层的厚度范围为30～60nm，所述P型GaN层的厚度范围为30～50nm。
10.根据权利要求9所述的LED外延结构，其特征在于，所述uGaN层的厚度为2um，所述N型GaN层的厚度为2.5um，所述P型空穴注入层的厚度为30nm，所述P型GaN层的厚度为40nm。
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