[实用新型]一种应用于SiC-MOSFET的驱动装置

摘要

本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种应用于SiC－MOSFET的驱动装置，包括：控制器、隔离电路、驱动电源电路以及有源钳位驱动电路，所述控制器、隔离电路、有源钳位驱动电路依次连接，所述驱动电源电路分别连接隔离电路以及有源钳位驱动电路，其中，驱动电源电路包括连接的电容C1、C2、C3、C4、电阻R1、R2、三极管Q1、Q2、第一稳压单元、第二稳压单元。本实用新型有益效果：简化及优化驱动电源设计，提高驱动电源稳定性，提供更精确合适的驱动电压；就近采用有源驱动电路，可较大限度缩小回路面积，减小对周边干扰耦合，降低寄生参数，大幅改善驱动波形，提高SiC－MOSFET工作的稳定性和可靠性。

主权项

1.一种应用于SiC－MOSFET的驱动装置，其特征在于，包括：控制器、隔离电路、驱动电源电路以及有源钳位驱动电路，所述控制器、隔离电路、有源钳位驱动电路依次连接，所述驱动电源电路分别连接隔离电路以及有源钳位驱动电路，其中，驱动电源电路包括电容C1、C2、C3、C4、电阻R1、R2、三极管Q1、Q2、第一稳压单元、第二稳压单元，所述电容C1的一端连接三极管Q1的集电极，另一端连接电容C2，所述电容C2的另一端连接三极管Q2的集电极，在电容C1、C2的两端还分别连接前级正电源输出端、前级负电源输出端，所述电阻R1的一端连接三极管Q1的集电极，另一端连接三极管Q1的基极，所述电阻R2的一端连接三极管Q2的集电极，另一端连接三极管Q2的基极，所述第一稳压单元的负极连接三极管Q1的基极，正极分别连接第二稳压单元的负极、电容C1、C3以及C4的一端，所述第二稳压单元的正极连接三极管Q2的基极，所述电容C3的一端连接三极管Q1的发射极，另一端连接第一稳压单元的正极，所述电容C4的一端连接三极管Q1的发射极，另一端连接第一稳压单元的正极。