[实用新型]一种应用于SiC-MOSFET的驱动装置

权利要求书

1.一种应用于SiC－MOSFET的驱动装置，其特征在于，包括：控制器、隔离电路、驱动电源电路以及有源钳位驱动电路，所述控制器、隔离电路、有源钳位驱动电路依次连接，所述驱动电源电路分别连接隔离电路以及有源钳位驱动电路，其中，驱动电源电路包括电容C1、C2、C3、C4、电阻R1、R2、三极管Q1、Q2、第一稳压单元、第二稳压单元，所述电容C1的一端连接三极管Q1的集电极，另一端连接电容C2，所述电容C2的另一端连接三极管Q2的集电极，在电容C1、C2的两端还分别连接前级正电源输出端、前级负电源输出端，所述电阻R1的一端连接三极管Q1的集电极，另一端连接三极管Q1的基极，所述电阻R2的一端连接三极管Q2的集电极，另一端连接三极管Q2的基极，所述第一稳压单元的负极连接三极管Q1的基极，正极分别连接第二稳压单元的负极、电容C1、C3以及C4的一端，所述第二稳压单元的正极连接三极管Q2的基极，所述电容C3的一端连接三极管Q1的发射极，另一端连接第一稳压单元的正极，所述电容C4的一端连接三极管Q1的发射极，另一端连接第一稳压单元的正极。

2.根据权利要求1所述的应用于SiC－MOSFET的驱动装置，其特征在于，所述第一稳压单元包括稳压管ZD1，所述第二稳压单元包括稳压管ZD2，所述稳压管ZD1的负极连接三极管Q1的基极，其正极连接稳压管ZD2的负极，稳压管ZD2的正极连接三极管Q2的基极。

3.根据权利要求1所述的应用于SiC－MOSFET的驱动装置，其特征在于，所述第一稳压单元包括可控精密稳压源ZD3、电阻R3、R4，所述第二稳压单元包括稳压管ZD2，所述可控精密稳压源ZD3的阴极连接三极管Q1的基极，其阳极连接连接稳压管ZD2的负极，其参考极分别连接电阻R3、R4的一端，所述电阻R3的另一端连接三极管Q1的发射极，所述电阻R4的另一端连接稳压管ZD2的负极，所述稳压管ZD2的正极连接三极管Q2的基极。

4.根据权利要求1所述的应用于SiC－MOSFET的驱动装置，其特征在于，所述有源钳位驱动电路包括电容C21、C22、电阻R21、R22、R23、R24、三极管Q21、Q22，所述电阻R22、电容C21、C22依次连接，电阻R22的另一端连接三极管Q21的集电极，电容C22的另一端连接三极管Q22的集电极，在电容C21、C22的两端还分别连接电容C3、C4的输出端，所述电阻R21的一端连接隔离电路输出端，另一端分别连接三极管Q21的基极、三极管Q22的基极，所述电阻R23的一端分别连接三极管Q21的发射极、三极管Q22的发射极，另一端分别连接SiC－MOSFET的栅极、电阻R24的一端，所述电阻R24的另一端分别连接SiC－MOSFET的源极、电容C21与C22的中间节点。

5.根据权利要求1所述的应用于SiC－MOSFET的驱动装置，其特征在于，所述隔离电路包括光耦或磁隔或容隔。