[实用新型]一种像素结构有效

专利信息
申请号: 201821193380.5 申请日: 2018-07-26
公开(公告)号: CN208367390U 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 于靖;罗志祥;庄崇营;李林 申请(专利权)人: 信利半导体有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 邓义华;廖苑滨
地址: 516600 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供了一种像素结构,应用于TN型显示面板中,包括基板;栅电极和公共电极,形成于所述基板上;第一绝缘层,形成于所述栅电极、基板和公共电极上;有源层,形成于所述第一绝缘层上且对应栅电极设置;源电极和漏电极,形成于所述有源层上;金属电极,与所述源电极和漏电极材质一致且设于同层,与所述公共电极位置重叠形成存储电容;第二绝缘层,形成于所述源电极、漏电极、金属电极、第一绝缘层上;像素电极,形成于所述第二绝缘层上并与所述漏电极电性连接,且与所述金属电极形成存储电容。本实用新型提供的像素结构能够有效增大存储电容,且保证开口率;且工艺简单,有效保证了生产效率和成本。
搜索关键词: 绝缘层 漏电极 存储电容 公共电极 金属电极 像素结构 源电极 栅电极 基板 本实用新型 源层 电性连接 生产效率 位置重叠 显示面板 像素电极 开口率 同层 保证 应用
【主权项】:
1.一种像素结构,应用于TN型显示面板中,其特征在于,包括:基板;栅电极和公共电极,形成于所述基板上;第一绝缘层,形成于所述栅电极、基板和公共电极上;有源层,形成于所述第一绝缘层上且对应栅电极设置;源电极和漏电极,形成于所述有源层上;金属电极,与所述源电极和漏电极材质一致且设于同层,与所述公共电极位置重叠形成存储电容;第二绝缘层,形成于所述源电极、漏电极、金属电极、第一绝缘层上;像素电极,形成于所述第二绝缘层上并与所述漏电极和金属电极电性连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信利半导体有限公司,未经信利半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821193380.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top