[实用新型]一种像素结构有效
| 申请号： | 201821193380.5 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN208367390U | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 于靖;罗志祥;庄崇营;李林 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 邓义华;廖苑滨 |
| 地址： | 516600 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 漏电极 存储电容 公共电极 金属电极 像素结构 源电极 栅电极 基板 本实用新型 源层 电性连接 生产效率 位置重叠 显示面板 像素电极 开口率 同层 保证 应用 | ||
1.一种像素结构，应用于TN型显示面板中，其特征在于，包括：
基板；
栅电极和公共电极，形成于所述基板上；
第一绝缘层，形成于所述栅电极、基板和公共电极上；
有源层，形成于所述第一绝缘层上且对应栅电极设置；
源电极和漏电极，形成于所述有源层上；
金属电极，与所述源电极和漏电极材质一致且设于同层，与所述公共电极位置重叠形成存储电容；
第二绝缘层，形成于所述源电极、漏电极、金属电极、第一绝缘层上；
像素电极，形成于所述第二绝缘层上并与所述漏电极和金属电极电性连接。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述金属电极与所述漏电极相接。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括与所述栅电极电性连接的栅极线和与所述源电极电性连接的数据线。
4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述金属电极朝向所述栅极线一侧延伸至与所述栅极线位置相接或重叠。
5.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，还包括设于所述像素电极背向所述栅极线一侧的相邻栅极线。
6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述金属电极朝向所述相邻栅极线一侧延伸至与所述相邻栅极线位置相接或重叠。
7.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述金属电极三面围绕所述像素电极设置，其开口朝向所述相邻栅极线设置。
8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极通过穿透第二绝缘层的过孔与所述漏电极电性连接。
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