[实用新型]阵列基板及具有该阵列基板的液晶显示装置有效
申请号: | 201821155678.7 | 申请日: | 2018-07-20 |
公开(公告)号: | CN208937875U | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 安藤爱美;棚原学 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型涉及阵列基板、具有该阵列基板的液晶显示装置,能够提高开口率,获得高清或者高亮度的液晶显示装置。该阵列基板在基板之上具有:栅极配线;源极配线,其隔着绝缘膜与栅极配线正交;源极电极,其与源极配线连接;半导体层,其形成于源极电极的下层;漏极电极,其在半导体层之上与源极电极相对,具有延伸部;以及像素电极,其直接层叠于漏极电极的延伸部之上,漏极电极的延伸部的端边与像素电极的端边对齐。 | ||
搜索关键词: | 阵列基板 液晶显示装置 漏极电极 源极电极 延伸部 半导体层 像素电极 源极配线 栅极配线 端边 本实用新型 对齐 绝缘膜 开口率 高清 基板 正交 下层 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,在基板之上具有:栅极配线;源极配线,其隔着绝缘膜与所述栅极配线正交;源极电极,其与所述源极配线连接;半导体层,其形成于所述源极电极的下层;漏极电极,其在所述半导体层之上与所述源极电极相对,具有延伸部;以及像素电极,其直接层叠于所述漏极电极的延伸部之上,所述漏极电极的延伸部的端边与所述像素电极的端边对齐。
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