[实用新型]阵列基板及具有该阵列基板的液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201821155678.7 申请日: 2018-07-20
公开(公告)号: CN208937875U 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 安藤爱美;棚原学 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 阵列基板 液晶显示装置 漏极电极 源极电极 延伸部 半导体层 像素电极 源极配线 栅极配线 端边 本实用新型 对齐 绝缘膜 开口率 高清 基板 正交 下层
【说明书】:

本实用新型涉及阵列基板、具有该阵列基板的液晶显示装置,能够提高开口率,获得高清或者高亮度的液晶显示装置。该阵列基板在基板之上具有:栅极配线;源极配线,其隔着绝缘膜与栅极配线正交;源极电极,其与源极配线连接;半导体层,其形成于源极电极的下层;漏极电极,其在半导体层之上与源极电极相对,具有延伸部;以及像素电极,其直接层叠于漏极电极的延伸部之上,漏极电极的延伸部的端边与像素电极的端边对齐。

技术领域

本实用新型涉及构成液晶显示装置的阵列基板。

背景技术

液晶显示装置具有液晶层和一对基板,该一对基板是彼此相对而配置的,该液晶层设置在上述两个基板之间。一对基板中的一个形成有与液晶显示装置的像素对应的像素电极、将信号电压传送至像素电极的薄膜晶体管等开关元件、与开关元件连接的配线等,有时称为阵列基板或有源矩阵基板。另一个基板有时称为相对基板。

通常,作为形成在阵列基板之上的像素电极,由透过可见光的透明导电膜形成,作为材料,使用氧化铟锡(Indium-Tin-Oxide)、氧化铟锌(Indium-Zinc-Oxide)。另一方面,作为像素电极与薄膜晶体管之间的电连接部件,通常使用金属膜,但由于金属膜反射可见光,因此不会透过可见光。

近年来,就液晶显示装置而言,要求高清的画质,因此像素电极的尺寸也不得不变小,因此阵列基板的每个像素的透光量也会减少。或者,有时要求高亮度的液晶显示装置,因此,无论是哪种要求,为了确保显示所需的光量,都需要尽可能减小如上述的像素电极与薄膜晶体管之间的连接部件那样不透过可见光的区域,增加像素电极中的透光区域。

作为上述区域,还会举出薄膜晶体管的电极、将信号传送至薄膜晶体管的配线,但由于原本就存在对于电极、配线使用金属膜,以将电阻减小这样的背景,因此将上述区域缩小会导致电阻的增大,引起显示不良。

因此,想到了将由上述连接部件使像素电极中的透光面积减小的程度最小化的对策。在这里,通常就上述连接而言,已知有如下构造,即,使薄膜晶体管的漏极电极的一部分沿像素电极延伸而与像素电极直接层叠。(专利文献1)

专利文献1:日本特开2010-191410号公报

实用新型内容

在该构造中,漏极电极由金属膜形成,因此与像素电极层叠而连接的区域也不透过可见光。由此,像素的开口率降低。如果减少层叠的区域的面积则能够抑制开口率的降低,但另一方面,像素电极与漏极电极之间的电阻增大,有可能妨碍信号电位的传送。本实用新型的目的在于,在液晶显示装置中,通过将像素电极与漏极电极的连接构造、配置优化,从而提高开口率。

本实用新型的阵列基板在基板之上具有:栅极配线;源极配线,其隔着绝缘膜与所述栅极配线正交;源极电极,其与所述源极配线连接;半导体层,其形成于所述源极电极的下层;漏极电极,其在所述半导体层之上与所述源极电极相对,具有延伸部;以及像素电极,其直接层叠于所述漏极电极的延伸部之上,所述漏极电极的延伸部的端边与所述像素电极的端边对齐。

实用新型的效果

根据本实用新型,能够将像素电极与漏极电极的连接构造、配置优化,能够提高开口率,获得高清或者高亮度的液晶显示装置。

附图说明

图1是本实施方式1涉及的液晶显示面板的俯视图。

图2是有源矩阵基板的像素的俯视图,该有源矩阵基板构成本实施方式1涉及的液晶显示面板。

图3是沿图2中的A-A线的剖视图。

图4是有源矩阵基板的像素的俯视图,该有源矩阵基板构成本实施方式2涉及的液晶显示面板。

图5是沿图4中的B-B线的剖视图。

图6是有源矩阵基板的像素的剖视图。

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