[实用新型]背照式图像传感器有效
| 申请号： | 201821099587.6 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN208570610U | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 韩昌勋 | 申请（专利权）人： | DBHiTek株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人： | 余文娟 |
| 地址： | 韩国首尔*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 背照式图像传感器包括设置在衬底中的像素区域、设置在衬底的背侧表面上的抗反射层、设置在抗反射层上并具有对应于像素区域的开口的阻光图案、设置在阻光图案上的滤色器层以及设置在滤色器层上的微透镜阵列，其中所述阻光图案具有朝向衬底的背侧表面减小的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 阻光图案 衬底 背照式图像传感器 背侧表面 抗反射层 滤色器层 像素区域 微透镜阵列 减小 开口 | ||
【主权项】：
1.背照式图像传感器，包括:像素区域，其设置在衬底中；抗反射层，其设置在所述衬底的背侧表面上；阻光图案，其设置在所述抗反射层上并具有对应于所述像素区域的开口；滤色器层，其设置在所述阻光图案上；和微透镜阵列，其设置在所述滤色器层上，其中所述阻光图案具有朝向所述衬底的背侧表面减小的宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于DBHiTek株式会社，未经DBHiTek株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821099587.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像传感器
- 下一篇：一种单片集成半导体阵列器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
