[实用新型]电子芯片有效
| 申请号： | 201821096026.0 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN208580743U | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | F·朱利恩 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;崔卿虎 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种电子芯片包括：绝缘体上硅晶体管，至少部分地形成在半导体层中，所述半导体层形成在绝缘层上，所述绝缘层形成在半导体衬底上；第一体衬底晶体管，至少部分地形成在所述半导体衬底中；以及第二体衬底晶体管，至少部分地形成在所述半导体衬底中，所述第二体衬底晶体管包括栅极绝缘体，所述栅极绝缘体具有包括所述绝缘层的部分的边缘，所述第二体衬底晶体管的所述栅极绝缘体在所述边缘处比在所述第二体衬底晶体管的所述栅极绝缘体的中央处更厚，其中所述第一体衬底晶体管具有没有所述绝缘层的部分的栅极绝缘体。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 晶体管 栅极绝缘体 绝缘层 半导体 半导体层 电子芯片 绝缘层形成 绝缘体上硅 边缘处 中央处 | ||
【主权项】：
1.一种电子芯片，其特征在于，包括：绝缘体上硅晶体管，至少部分地形成在半导体层中，所述半导体层形成在绝缘层上，所述绝缘层形成在半导体衬底上；第一体衬底晶体管，至少部分地形成在所述半导体衬底中；以及第二体衬底晶体管，至少部分地形成在所述半导体衬底中，所述第二体衬底晶体管包括栅极绝缘体，所述栅极绝缘体具有包括所述绝缘层的部分的边缘，所述第二体衬底晶体管的所述栅极绝缘体在所述边缘处比在所述第二体衬底晶体管的所述栅极绝缘体的中央处更厚，其中所述第一体衬底晶体管具有没有所述绝缘层的部分的栅极绝缘体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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