[实用新型]一种降低栅极电荷的平面栅功率器件有效
申请号: | 201821089824.0 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN208489199U | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 薛璐;何军;张海涛 | 申请(专利权)人: | 无锡紫光微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型属于半导体器件的制造技术领域,涉及一种降低栅极电荷的平面栅功率器件,包括半导体基板,在第一导电类型漂移区内的上部设有第二导电类型体区,在第二导电类型体区内的上部设有第一导电类型源区,其特征在于:在半导体基板的第一主面上设有导电多晶硅、位于导电多晶硅下方的栅氧化层、位于导电多晶硅和栅氧化层两侧的介质氧化层及包裹在导电多晶硅和介质氧化层上方及周围的绝缘介质层;介质氧化层下方与第一导电类型源区、第二导电类型体区相邻接,栅氧化层两端的下方与第二导电类型体区搭接;本实用新型通过缩短导电多晶硅的宽度,减小了输入电容Ciss和栅极电荷Qg,进而大幅降低了器件开关损耗,提升产品的品质因数。 | ||
搜索关键词: | 导电多晶硅 导电类型 第一导电类型 栅极电荷 栅氧化层 氧化层 体区 半导体基板 本实用新型 功率器件 平面栅 源区 漂移 半导体器件 绝缘介质层 品质因数 器件开关 输入电容 搭接 减小 制造 | ||
【主权项】:
1.一种降低栅极电荷的平面栅功率器件,包括若干个并列的元胞单元,所述元胞单元包括半导体基板,所述半导体基板包括位于上方的第一导电类型漂移区(2)以及位于下方且与第一导电类型漂移区(2)邻接的第一导电类型衬底(1),所示第一导电类型漂移区(2)的上表面为半导体基板的第一主面(001);在第一导电类型漂移区(2)内的上部设有第二导电类型体区(3),在所述第二导电类型体区(3)内的上部设有第一导电类型源区(4),其特征在于:在所述半导体基板的第一主面(001)上设有导电多晶硅(5)、位于所述导电多晶硅(5)下方的栅氧化层(6)、位于导电多晶硅(5)和栅氧化层(6)两侧的介质氧化层(7)及包裹在导电多晶硅(5)和介质氧化层(7)上方及周围的绝缘介质层(8);所述介质氧化层(7)下方与第一导电类型源区(4)、第二导电类型体区(3)相邻接,所述栅氧化层(6)两端的下方与第二导电类型体区(3)搭接。
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