[实用新型]一种LED芯片补长外延片结构有效
| 申请号： | 201821046557.9 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN208538896U | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 徐涛;张宇晴;王怀兵;王辉 | 申请（专利权）人： | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215026 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种LED芯片补长外延片结构，包括：依次生长在衬底层上的缓冲层、非掺杂半导体层、N型半导体层、量子阱层、载流子限制层、P型半导体层及补长层；所述补长层为Mg掺杂浓度1e+21cm‑3的GaN，其厚度为0.01～0.05nm。该实用新型通过在报废外延片表层重新生长一层高掺杂Mg的GaN补长层，使得报废外延片性能与正常外延片性能一致，从而实现了报废外延片的回收再利用，节能环保。 | ||
| 搜索关键词： | 外延片 长层 外延片结构 报废 掺杂 本实用新型 载流子限制 半导体层 节能环保 量子阱层 生长 衬底层 非掺杂 缓冲层 再利用 回收 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片补长外延片结构，其特征在于，包括：依次生长在衬底层上的缓冲层、非掺杂半导体层、N型半导体层、量子阱层、载流子限制层、P型半导体层及补长层；所述补长层为Mg掺杂浓度1e+21cm‑3的GaN，其厚度为0.01～0.05nm。
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