[实用新型]一种LED芯片补长外延片结构

说明书

本实用新型公开了一种LED芯片补长外延片结构，包括：依次生长在衬底层上的缓冲层、非掺杂半导体层、N型半导体层、量子阱层、载流子限制层、P型半导体层及补长层；所述补长层为Mg掺杂浓度1e+21cm^‑3的GaN，其厚度为0.01～0.05nm。该实用新型通过在报废外延片表层重新生长一层高掺杂Mg的GaN补长层，使得报废外延片性能与正常外延片性能一致，从而实现了报废外延片的回收再利用，节能环保。

技术领域

本实用新型涉及一种LED芯片，特别涉及一种LED芯片补长外延片结构。

背景技术

图1为现有技术的一种LED芯片外延片，其包括依次生长在衬底层10上的缓冲层20、非掺杂半导体层30、N型半导体层40、量子阱层50、载流子限制层60及P型半导体层70，在蓝光LED外延片的量产过程中，会因为Cp2Mg(二茂镁)浓度的衰减导致外延片性能的报废。本实用新型的目的在于，在报废外延片的表面生长一层高掺杂浓度Mg的GaN材料，将报废外延片回收再利用。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种LED芯片补长外延片结构，包括：

依次生长在衬底层上的缓冲层、非掺杂半导体层、N型半导体层、量子阱层、载流子限制层、P型半导体层及补长层；

所述补长层为Mg掺杂浓度1e+21cm^-3的GaN，其厚度为0.01～0.05nm。

其中，所述补长层的厚度为0.01～0.03nm。

其中，所述衬底层优选为蓝宝石衬底，其厚度为430μm。

其中，所述缓冲层优选为GaN缓冲层，其厚度为0.25μm。

其中，所述非掺杂半导体层优选为非掺杂GaN层，其厚度为2μm。

其中，所述N型半导体层优选为N型GaN层，其厚度为2μm。

其中，所述载流子限制层优选为P型Al掺杂GaN层。

其中，所述P型半导体层优选为P型GaN层，其厚度为150nm。

通过上述技术方案，本实用新型通过在报废外延片表层重新生长一层高掺杂Mg的GaN补长层，使得报废外延片性能与正常外延片性能一致，从而实现了报废外延片的回收再利用，节能环保。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1为现有技术的LED芯片外延片结构示意图；

图2为本实用新型实施例所公开的LED芯片补长外延片结构示意图。

图中数字表示：

10.衬底层 20.缓冲层 30.非掺杂半导体层

40.N型半导体层 50.量子阱层 60.载流子限制层

70.P型半导体层 80.补长层

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。