[实用新型]一种共享型VCSEL与HBT集成结构

摘要

一种共享型VCSEL与HBT集成结构，属于化合物半导体材料及器件技术领域。所述结构中VCSEL与HBT共享n型InGaP发射区、p型GaAs基区和n型GaAs集电区，且VCSEL与HBT在竖直方向形成串联来减小芯片面积。利用湿法腐蚀刻蚀至n型InGaP腐蚀阻挡层，再利用湿法氧化形成环形氧化以提供电流和光场限制，再依次刻蚀n型InGaP腐蚀阻挡层、n型GaAs集电区和p型GaAs基区，依次在p型GaAs基区和n型InGaP发射区制作基极电极和发射极电极，再利用BCB填充刻蚀沟槽，再制作VCSEL p面电极。VCSEL与HBT在竖直方向形成串联减小了芯片面积。

主权项

1.一种共享型VCSEL与HBT集成结构，其特征在于：VCSEL与HBT共享了n型InGaP发射区、p型GaAs基区和n型GaAs集电区，其结构自上而下依次为p型GaAs帽层、p型AlGaAs/AlGaAs上DBR、Al_0.98Ga_0.02As氧化层和Al_xO_y复合层、InGaAs/AlGaAs量子阱、上下限制层、n型InGaP腐蚀阻挡层、n型GaAs集电区组成的圆柱结构，Al_0.98Ga_0.02As氧化层和Al_xO_y复合层：Al_0.98Ga_0.02As氧化层为圆中心，Al_xO_y在Al_0.98Ga_0.02As氧化层外环；n型GaAs集电区的下层依次为p型GaAs基区、n型InGaP发射区，p型GaAs基区的一侧延长长于n型GaAs集电区，其上为基极电极；n型InGaP发射区的一侧延长长于p型GaAs基区，其上有发射极电极；n型InGaP发射区的向下的下层依次为非故意掺杂AlGaAs/AlAs下DBR、非故意掺杂GaAs缓冲层、半绝缘GaAs衬底；非故意掺杂AlGaAs/AlAs下DBR的上面除了n型InGaP发射区外，为平坦化填充材料BCB，平坦化填充材料BCB向上的上面与p型GaAs帽层齐平；在平坦化填充材料BCB向上的上面与p型GaAs帽层上均设有p面电极。