[实用新型]一种共享型VCSEL与HBT集成结构

权利要求书

1.一种共享型VCSEL与HBT集成结构，其特征在于：VCSEL与HBT共享了n型InGaP发射区、p型GaAs基区和n型GaAs集电区，其结构自上而下依次为p型GaAs帽层、p型AlGaAs/AlGaAs上DBR、Al_0.98Ga_0.02As氧化层和Al_xO_y复合层、InGaAs/AlGaAs量子阱、上下限制层、n型InGaP腐蚀阻挡层、n型GaAs集电区组成的圆柱结构，Al_0.98Ga_0.02As氧化层和Al_xO_y复合层：Al_0.98Ga_0.02As氧化层为圆中心，Al_xO_y在Al_0.98Ga_0.02As氧化层外环；n型GaAs集电区的下层依次为p型GaAs基区、n型InGaP发射区，p型GaAs基区的一侧延长长于n型GaAs集电区，其上为基极电极；n型InGaP发射区的一侧延长长于p型GaAs基区，其上有发射极电极；n型InGaP发射区的向下的下层依次为非故意掺杂AlGaAs/AlAs下DBR、非故意掺杂GaAs缓冲层、半绝缘GaAs衬底；非故意掺杂AlGaAs/AlAs下DBR的上面除了n型InGaP发射区外，为平坦化填充材料BCB，平坦化填充材料BCB向上的上面与p型GaAs帽层齐平；在平坦化填充材料BCB向上的上面与p型GaAs帽层上均设有p面电极。

2.按照权利要求1所述的一种共享型VCSEL与HBT集成结构，其特征在于：所述的非故意掺杂GaAs缓冲层用于抑制半绝缘GaAs衬底中的位错向外延层中延伸，厚度为1000nm。

3.按照权利要求1所述的一种共享型VCSEL与HBT集成结构，其特征在于：所述的非故意掺杂AlGaAs/AlAs下DBR，由30.5对λ₀/4光学厚度的Al_0.12Ga_0.88As/AlAs构成，总厚度为3988nm，掺杂浓度为2e¹⁸cm^-3。

4.按照权利要求1所述的一种共享型VCSEL与HBT集成结构，其特征在于：所述的n型InGaP发射区厚度为196nm，掺杂浓度为2e¹⁸cm^-3；所述的p型GaAs基区厚度为59nm，掺杂浓度为1e¹⁹cm^-3。

5.按照权利要求1所述的一种共享型VCSEL与HBT集成结构，其特征在于：所述的n型GaAs集电区厚度为118nm，掺杂浓度为1e¹⁸cm^-3。

6.按照权利要求1所述的一种共享型VCSEL与HBT集成结构，其特征在于：所述的n型InGaP腐蚀阻挡层，其InGaP与GaAs具有不同的腐蚀速率，起到选择性腐蚀的作用；该阻挡层的厚度为65nm，掺杂浓度为2e¹⁸cm^-3。

7.按照权利要求1所述的一种共享型VCSEL与HBT集成结构，其特征在于：所述的上下限制层由Al_0.60Ga_0.40As材料构成，厚度为110nm。

8.按照权利要求1所述的一种共享型VCSEL与HBT集成结构，其特征在于：所述的InGaAs/AlGaAs量子阱光致发光波长比λ₀小10-20nm，包含4对In_0.10Ga_0.90As/Al_0.37Ga_0.63As材料，厚度为45nm。