[实用新型]一种基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件有效
| 申请号： | 201821031401.3 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN208873725U | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘新宇;王成森;王鑫华;王泽卫;黄森;康玄武;魏珂;黄健 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/329;H01L21/28;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 226017 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件；所述基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件，包括：衬底；形成于所述衬底上的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构非阳极区域上的SiNx电荷恢复层；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构阳极区域上的纳米沟道阵列结构；以及形成于所述SiNx电荷恢复层通孔中的阴极金属和形成于所述纳米沟道阵列结构上的阳极金属。本公开GaN SBD器件能够获得低开启电压、高正向电流密度和低反向漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒 纳米沟道 异质结构 电荷恢复 阳极区域 阵列结构 衬底 反向漏电 开启电压 阳极金属 阴极金属 通孔 正向 | ||
【主权项】：
1.一种基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底上的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构非阳极区域上的SiNx电荷恢复层；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构阳极区域上的纳米沟道阵列结构；以及形成于所述SiNx电荷恢复层通孔中的阴极金属和形成于所述纳米沟道阵列结构上的阳极金属。
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