[实用新型]一种基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件有效
| 申请号： | 201821031401.3 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN208873725U | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘新宇;王成森;王鑫华;王泽卫;黄森;康玄武;魏珂;黄健 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/329;H01L21/28;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 226017 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 势垒 纳米沟道 异质结构 电荷恢复 阳极区域 阵列结构 衬底 反向漏电 开启电压 阳极金属 阴极金属 通孔 正向 | ||
1.一种基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件，其特征在于，包括：
衬底；
形成于所述衬底上的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；
形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构非阳极区域上的SiNx电荷恢复层；
形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构阳极区域上的纳米沟道阵列结构；以及
形成于所述SiNx电荷恢复层通孔中的阴极金属和形成于所述纳米沟道阵列结构上的阳极金属。
2.根据权利要求1所述的基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件，其特征在于，所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构包括：形成于所述衬底上的GaN缓冲层以及形成于所述GaN缓冲层上的Al(In，Ga)N薄势垒层。
3.根据权利要求1所述的基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件，其特征在于，在所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构的所述Al(In，Ga)N薄势垒层与所述GaN缓冲层之间产生二维电子气2DEG。
4.根据权利要求3所述的基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件，其特征在于，所述纳米沟道占空比小于50％，纳米沟道凹槽底部深度大于2DEG沟道深度，且两者深度差在30nm以上，所述阳极金属与所述2DEG沟道直接接触。
5.根据权利要求1所述的基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件，其特征在于，所述纳米沟道凹槽长边延伸方向平行于所述薄势垒GaN SBD器件的阳极与阴极的连线方向。
6.根据权利要求1所述的基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件，其特征在于，采用LPCVD技术生长在Al(In，Ga)N薄势垒层上方生长SiNx电荷恢复层，LPCVD-SiNx电荷恢复层的厚度＜20nm，应力介于1GPa至5Gpa之间。
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