[实用新型]一种90度电桥微波集成电路芯片结构有效
| 申请号： | 201821000121.6 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN208315727U | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 高海波 | 申请（专利权）人： | 此芯半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01P5/12 | 分类号： | H01P5/12 |
| 代理公司： | 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙) 44276 | 代理人： | 张朝阳;袁浩华 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种90度电桥微波集成电路芯片结构，包括电桥芯片，所述电桥芯片包括下层金属以及设于所述下层金属的上层金属，所述下层金属与所述上层金属之间设置有交叉金属微带线，所述下层金属包括左侧微带、中间微带以及右侧微带，所述左侧微带、所述中间微带以及所述右侧微带上设置有所述上层金属，且所述左侧微带以及所述右侧微带与所述上层金属连接，所述中间微带与所述上层金属之间设置有间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 微带 金属 上层 下层 微波集成电路 电桥芯片 芯片结构 电桥 本实用新型 金属微带线 金属连接 | ||
【主权项】：
1.一种90度电桥微波集成电路芯片结构，其特征在于，包括电桥芯片，所述电桥芯片包括下层金属以及设于所述下层金属的上层金属，所述下层金属与所述上层金属之间设置有交叉金属微带线，所述下层金属包括左侧微带、中间微带以及右侧微带，所述左侧微带、所述中间微带以及所述右侧微带上设置有所述上层金属，且所述左侧微带以及所述右侧微带与所述上层金属连接，所述中间微带与所述上层金属之间设置有间隙。
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