[实用新型]一种90度电桥微波集成电路芯片结构

说明书

本实用新型公开了一种90度电桥微波集成电路芯片结构，包括电桥芯片，所述电桥芯片包括下层金属以及设于所述下层金属的上层金属，所述下层金属与所述上层金属之间设置有交叉金属微带线，所述下层金属包括左侧微带、中间微带以及右侧微带，所述左侧微带、所述中间微带以及所述右侧微带上设置有所述上层金属，且所述左侧微带以及所述右侧微带与所述上层金属连接，所述中间微带与所述上层金属之间设置有间隙。

技术领域

本实用新型涉及一种90度电桥微波集成电路芯片结构。

背景技术

传统的电桥芯片在大功率输入的时候会产生电压击穿以及热烧毁的情况，应用场合受到很大的限制，在需要处理大功率信号的场合通常不能够使用电桥芯片。

上述缺陷，值得改进。

发明内容

为了克服现有的技术的不足，本实用新型提供一种90度电桥微波集成电路芯片结构。

本实用新型技术方案如下所述：

一种90度电桥微波集成电路芯片结构，包括电桥芯片，所述电桥芯片包括下层金属以及设于所述下层金属的上层金属，所述下层金属与所述上层金属之间设置有交叉金属微带线，所述下层金属包括左侧微带、中间微带以及右侧微带，所述左侧微带、所述中间微带以及所述右侧微带上设置有所述上层金属，且所述左侧微带以及所述右侧微带与所述上层金属连接，所述中间微带与所述上层金属之间设置有间隙。

进一步的，所述左侧微带、所述中间微带以及所述右侧微带依次并行排列分布设置。

进一步的，所述左侧微带、所述中间微带以及所述右侧微带上与所述上层金属呈圆弧交叉分布设置。

进一步的，所述中间微带在与所述上层金属交叉的区域设置有加宽微带。

进一步的，所述左侧微带与所述加宽微带相匹配设置。

进一步的，所述右侧微带与所述加宽微带相匹配设置

根据上述方案的本实用新型，其有益效果在于，本实用新型的上层金属通过圆弧桥式结构与下层金属交叉，中间为空气无介质，下层中间金属设置有加宽微带，在不影响电路性能的情况下使其能够承受大功率的信号输入，避免发生电压击穿以及发生热烧毁的现象，本实用新型结构简单，成本低，利于批量生产以及广泛应用。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型的结构另一视角示意图。

在图中，1、左侧微带；2、中间微带；3、右侧微带；4、上层金属；5、间隙；6、加宽微带。

具体实施方式

下面结合附图以及实施方式对本实用新型进行进一步的描述：

如图1-2所示，一种90度电桥微波集成电路芯片结构，包括电桥芯片，所述电桥芯片包括下层金属以及设于所述下层金属的上层金属4，所述下层金属与所述上层金属4之间设置有交叉金属微带线，所述交叉金属微带线为圆弧交叉分布设置，所述下层金属包括左侧微带1、中间微带2以及右侧微带3，所述左侧微带1、所述中间微带2以及所述右侧微带3依次并行排列分布设置。所述左侧微带1、所述中间微带2以及所述右侧微带3上设置有所述上层金属4，且所述左侧微带1以及所述右侧微带3与所述上层金属4连接，所述中间微带2与所述上层金属4之间设置有间隙5。

所述中间微带2在与所述上层金属4交叉的区域设置有加宽微带6，并且相邻的所述左侧微带1与所述加宽微带6相匹配设置，即在中间微带2的左部设置加宽微带6，相邻的左侧微带1对应设置与加宽微带的凹区，同时左侧微带的宽度保持不变。