[实用新型]等离子体处理腔室及用于等离子体处理腔室的环有效
| 申请号： | 201820980309.5 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN208908212U | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 艾伦·L·丹布拉;舍什拉伊·L·图尔什巴瓦勒 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容涉及一种等离子体处理腔室，以及一种用于等离子体处理腔室的环。本实用新型一般地阐述对用于蚀刻或其他等离子体处理腔室中的环组件的侵蚀进行检测的方法和设备。在一个实施方式中，一种方法通过以下步骤开始：在等离子体处理腔室中利用等离子体进行处理之前获得指示设置在等离子体处理腔室中的基板支撑件上的环组件的磨损的度量。利用传感器监测环组件的度量。确定度量是否超过阈值，并且响应于度量超过阈值而生成信号。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体处理腔室 度量 环组件 等离子体 蚀刻 本实用新型 传感器监测 方法和设备 基板支撑件 生成信号 指示设置 磨损 侵蚀 响应 检测 | ||
【主权项】：
1.一种用于等离子体处理腔室的环，其特征在于，所述环包括：主体，所述主体具有顶表面、底表面和内径壁，所述主体包括：信号尖峰层；以及第一层，所述第一层设置在所述信号尖峰层上，其中所述第一层的第一材料不同于所述信号尖峰层的第二材料。
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