[实用新型]等离子体处理腔室及用于等离子体处理腔室的环

权利要求书

1.一种用于等离子体处理腔室的环，其特征在于，所述环包括：

主体，所述主体具有顶表面、底表面和内径壁，所述主体包括：

信号尖峰层；以及

第一层，所述第一层设置在所述信号尖峰层上，其中所述第一层的第一材料不同于所述信号尖峰层的第二材料。

2.如权利要求1所述的环，其中所述信号尖峰层的所述第二材料为SiO材料。

3.如权利要求1所述的环，其中所述信号尖峰层的所述第二材料为荧光材料。

4.如权利要求1所述的环，其中所述信号尖峰层包括：

一反射率，所述反射率不同于所述第一层的反射率。

5.如权利要求1所述的环，其中当所述信号尖峰层和所述第一层暴露于等离子体时所述第一层的所述第一材料发射出的多个第一离子不同于从所述信号尖峰层的所述第二材料发射的多个第二离子。

6.如权利要求1所述的环，其中所述第一层为所述主体的厚度的10％。

7.如权利要求1所述的环，其中所述主体进一步包括：

第三层，所述第三层设置在所述信号尖峰层之下。

8.如权利要求7所述的环，其中所述第三层为石英或SiC材料中的一种材料。

9.一种等离子体处理腔室，其特征在于，包括：

腔室主体，所述腔室主体具有内部容积；

基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述内部容积中；

环，所述环设置在所述基板支撑件上，所述环包括：

主体，所述主体具有顶表面、底表面和内径壁，所述主体包括：

信号尖峰层；以及

第一层，所述第一层设置在所述信号尖峰层上，其中所述第一层的第一材料不同于所述信号尖峰层的第二材料。

10.如权利要求9所述的等离子体处理腔室，其中所述主体进一步包括：

第三层，所述第三层设置在所述信号尖峰层之下，其中所述第三层为石英或SiC材料中的一种材料。

11.如权利要求9所述的等离子体处理腔室，进一步包括：

传感器，所述传感器设置在所述环的下方，所述传感器被构造成测量所述主体的厚度。

12.如权利要求9所述的等离子体处理腔室，其中当所述信号尖峰层和所述第一层暴露于等离子体时所述第一层的所述第一材料发射出的多个第一离子不同于从所述信号尖峰层的所述第二材料发射的多个第二离子。

13.如权利要求12所述的等离子体处理腔室，进一步包括：

传感器，所述传感器设置在所述等离子体处理腔室的所述内部容积中，所述传感器被构造成当所述信号尖峰层暴露于所述等离子体时检测从所述信号尖峰层的所述第二材料发射的所述多个第二离子。

14.如权利要求13所述的等离子体处理腔室，其中所述第一层为所述主体的厚度的10％。