[实用新型]高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201820930797.9 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN208861994U | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | F·尤克拉诺;A·齐尼 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及高电子迁移率晶体管。HEMT包括缓冲层、缓冲层上的空穴供应层、空穴供应层上的异质结构、以及源极电极。空穴供应层由P型掺杂半导体材料制成，缓冲层掺杂有碳，并且源极电极与空穴供应层直接电接触，使得空穴供应层可以被偏置以促进空穴从空穴供应层到缓冲层的传输。本公开的实施例使得能够在不降低击穿阈值以及在应力之前不增加通态电阻的值的情况下，消除应力对通态电阻的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴 供应层 缓冲层 高电子迁移率晶体管 通态电阻 源极电极 消除应力 异质结构 电接触 击穿 偏置 掺杂 传输 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：半导体本体，所述半导体本体包括缓冲层、布置在所述缓冲层上的空穴供应层和布置在所述空穴供应层上的异质结构，以及源极电极，其中所述空穴供应层由P型掺杂的半导体材料制成，并且所述源极电极与所述空穴供应层直接电接触，并且所述源极电极被配置为偏置所述空穴供应层并且由此引起所述空穴供应层将空穴从所述空穴供应层传输到所述缓冲层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司，未经意法半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820930797.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：常关型高电子迁移率晶体管
- 下一篇：一种LDMOS器件结构
- 同类专利
- 专利分类
