[实用新型]半导体集成电路的电容装置

摘要

本实用新型提供一种半导体集成电路的电容装置，采用三层牺牲层及三层支撑层的叠层结构，通过在牺牲层移除后，刻蚀打开支撑层的开口前沉积第一顶部支撑辅助层及第二顶部支撑辅助层，以增加刻蚀阻挡，提高支撑层的剩余厚度。本实用新型可有效提高电容孔的高度，从而提高垂直电容器的高度以增加电极板表面积，可在相同的单位面积内获得更高的电容值。本实用新型可以获得剩余厚度介于10~50nm的支撑层，使得垂直电容器结构更稳固，大大降低了具有较大高度的电容倒塌的风险。

主权项

1.一种半导体集成电路的电容装置，其特征在于，包括：基底，所述基底具有多个电容触点；双面电容器，包括：连接于所述电容触点的第一导电层，覆盖于所述第一导电层的内表面及外表面的电容介质层，以及覆盖于所述电容介质层外表面的第二导电层；第一支撑层，连接于所述第一导电层的下部侧壁，位于所述基底之上并与所述基底具有第一间距，所述第一支撑层具有第一开口；第二支撑层，连接于所述第一导电层的中部侧壁，位于所述第一支撑层之上并与所述第一支撑层具有第二间距，所述第二支撑层具有第二开口；以及第三支撑层，连接于所述第一导电层的顶部侧壁，位于所述第二支撑层之上并与所述第二支撑层具有第三间距，所述第三支撑层具有第三开口，其中，所述第三支撑层的厚度不小于稳定支撑所述双面电容器所需的最小厚度。