[实用新型]半导体集成电路的电容装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路的电容装置，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有多个电容触点；

双面电容器，包括：连接于所述电容触点的第一导电层，覆盖于所述第一导电层的内表面及外表面的电容介质层，以及覆盖于所述电容介质层外表面的第二导电层；

第一支撑层，连接于所述第一导电层的下部侧壁，位于所述基底之上并与所述基底具有第一间距，所述第一支撑层具有第一开口；

第二支撑层，连接于所述第一导电层的中部侧壁，位于所述第一支撑层之上并与所述第一支撑层具有第二间距，所述第二支撑层具有第二开口；以及

第三支撑层，连接于所述第一导电层的顶部侧壁，位于所述第二支撑层之上并与所述第二支撑层具有第三间距，所述第三支撑层具有第三开口，其中，所述第三支撑层的厚度不小于稳定支撑所述双面电容器所需的最小厚度。

2.根据权利要求1所述的电容装置，其特征在于：所述稳定支撑所述双面电容器所需的所述第三支撑层的最小厚度大于等于所述第一支撑层和所述第二支撑层任一层的厚度二分之一。

3.根据权利要求1所述的电容装置，其特征在于：所述第一支撑层的厚度范围介于10nm～100nm之间，所述第二支撑层的厚度范围介于10nm～100nm之间，所述第三支撑层的厚度介于10nm～50nm之间。

4.根据权利要求3所述的电容装置，其特征在于：所述第一间距小于所述第二间距，且所述第一间距小于所述第三间距。

5.根据权利要求4所述的电容装置，其特征在于：所述第一间距的范围100nm～400nm之间，所述第二间距的范围介于100nm～800nm之间，所述第三间距的范围介于100nm～800nm之间。

6.根据权利要求1所述的电容装置，其特征在于：所述基底表面还覆盖有刻蚀停止层，所述刻蚀停止层的厚度范围介于10nm～60nm之间，所述刻蚀停止层的材质包括氮化硅，所述基底还具有位于所述多个电容触点的外围的周边电路区。

7.根据权利要求1所述的电容装置，其特征在于：所述第一支撑层、所述第二支撑层及所述第三支撑层的材质包含氮化硅，所述第一导电层的材质包括金属氮化物及金属硅化物中的一种；所述电容介质层的材质包括氧化锆、氧化铪、氧化钛锆、氧化钌、氧化锑、氧化铝所组成群组中的一种；所述第二导电层的材质包括氮化物及金属硅化物中的一种。

8.根据权利要求1～7任一项所述的电容装置，其特征在于：所述电容装置还包括顶部支撑辅助层，所述顶部支撑辅助层叠置于所述第三支撑层的上表面，以提高所述第三支撑层的支撑能力。

9.根据权利要求8所述的电容装置，其特征在于：所述顶部辅助支撑层的材质与所述第三支撑层的材质相同，以提高所述顶部辅助支撑层与所述第三支撑层的结合强度，并降低所述顶部辅助支撑层的应力。