[实用新型]一种采用玻璃钝化芯片封装的齐纳稳压二极管有效
| 申请号： | 201820791779.7 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN208271909U | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 董珂 | 申请（专利权）人： | 济南固锝电子器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/06;H01L23/31 |
| 代理公司： | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人： | 罗文曌;高经 |
| 地址： | 250104 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体功率器件电子技术领域，具体地说是一种采用玻璃钝化芯片封装的齐纳稳压二极管。该实用新型的采用玻璃钝化芯片封装的齐纳稳压二极管包括稳压芯片和封装体，稳压芯片为六边形结构，稳压芯片两侧为双面硼扩散形成的两个P区，两个P区之间为N区，使稳压芯片形成两个相对的PN结；所述稳压芯片两侧分别连接有引线，封装体用于封装稳压芯片和引线。本实用新型的采用玻璃钝化芯片封装的齐纳稳压二极管结构设计合理，可以扩大二极管的高压适用范围，并能大幅度降低动态阻抗，具有良好的推广应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 稳压芯片 玻璃钝化芯片 稳压二极管 封装 本实用新型 封装体 半导体功率器件 电子技术领域 六边形结构 动态阻抗 二极管 硼扩散 | ||
【主权项】：
1.一种采用玻璃钝化芯片封装的齐纳稳压二极管，其特征在于：包括稳压芯片和封装体，稳压芯片为六边形结构，稳压芯片两侧为双面硼扩散形成的两个P区，两个P区之间为N区，使稳压芯片形成两个相对的PN结；所述稳压芯片两侧分别连接有引线，封装体用于封装稳压芯片和引线。
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