[实用新型]一种发光二极管外延片及发光二极管有效
| 申请号： | 201820744363.X | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN208580758U | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 林文禹;叶孟欣;罗云明;曾建尧;张中英 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本实用新型提供一种发光二极管外延片及发光二极管，其包括N型导通层、多量子阱和P型导通层，多量子阱的至少两个周期结构中每一个周期堆叠顺序为第一子层、第二子层和第三子层，第一子层为势阱，所述第二子层为势垒，并且所述第一子层的能级带隙Eg1、第二子层的能级带隙Eg2和第三子层的能级带隙Eg3的关系为Eg1 | ||
| 搜索关键词： | 子层 带隙 能级 势垒 发光二极管外延 发光二极管 多量子阱 载流子 辐射复合效率 本实用新型 差异设计 元件操作 周期结构 凸出 堆叠 势阱 溢流 局限 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，其包括N型导通层、多量子阱和P型导通层，其特征在于：多量子阱的至少两个周期结构中每一个周期堆叠顺序为第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为势阱，所述第二子层为势垒，并且所述第一子层的能级带隙Eg1、第二子层的能级带隙Eg2和第三子层的能级带隙Eg3的关系为Eg1
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