[实用新型]一种发光二极管外延片及发光二极管有效
| 申请号： | 201820744363.X | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN208580758U | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 林文禹;叶孟欣;罗云明;曾建尧;张中英 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 子层 带隙 能级 势垒 发光二极管外延 发光二极管 多量子阱 载流子 辐射复合效率 本实用新型 差异设计 元件操作 周期结构 凸出 堆叠 势阱 溢流 局限 | ||
1.一种发光二极管外延片，其包括N型导通层、多量子阱和P型导通层，其特征在于：多量子阱的至少两个周期结构中每一个周期堆叠顺序为第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为势阱，所述第二子层为势垒，并且所述第一子层的能级带隙Eg1、第二子层的能级带隙Eg2和第三子层的能级带隙Eg3的关系为Eg1<Eg2<Eg3。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于：Eg3与Eg2的差值至少为1.5eV。
3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于：所述第三子层的厚度为30埃以下。
4.根据权利要求1-3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于：多量子阱的所有周期结构每一周期堆叠顺序为第一子层、第二子层和第三子层，其中所述第一子层的能级带隙Eg1、第二子层的能级带隙Eg2和第三子层的能级带隙Eg3的关系为Eg1<Eg2<Eg3。
5.根据权利要求1-3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于：所述多量子阱的至少一个周期结构中，第一子层进一步由至少两种半导体材料堆叠而成，至少两种半导体材料的堆叠方式为逐渐靠近第二子层侧的Eg由低到高并且都低于第二子层的Eg2。
6.根据权利要求1-3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于：所述多量子阱的至少一个周期结构中，第二子层进一步由至少两种半导体材料堆叠而成，至少两种半导体材料的堆叠方式为逐渐远离第一子层侧的Eg由低到高。
7.根据权利要求1-3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于：所述多量子阱的至少一个周期结构中，第三子层进一步由至少两种半导体材料堆叠而成，至少两种半导体材料的堆叠方式为逐渐远离第二子层侧Eg由低到高并且都高于第二子层的Eg2。
8.根据权利要求1-3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于：所述的多量子阱包括第一子层和第二子层堆叠的至少一个周期以及堆叠顺序为第一子层、第二子层和第三子层，其中所述第一子层的能级带隙Eg1、第二子层的能级带隙Eg2和第三子层的能级带隙Eg3的关系为Eg1<Eg2<Eg3的至少两个周期结构。
9.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于：所述发光二极管为氮化镓发光二极管。
10.据权利要求9所述的发光二极管外延片，其特征在于：所述的第三子层为AlwGa1-wN，0.95≤w≤1。
11.根据权利要求1-3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于：所述第三子层为AlN。
12.根据权利要求1-3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于：所述第三子层AlN的厚度为10-15埃。
13.根据权利要求1-3任一项所述发光二极管外延片，其特征在于：所述发光二极管的发光波长为350-370nm。
14.根据权利要求13所述发光二极管外延片，其特征在于：所述第一子层的能级带隙Eg1为3.3~3.5eV。
15.根据权利要求13所述发光二极管外延片，其特征在于：所述第二子层的能级带隙Eg2为 3.55~3.9eV。
16.据权利要求13所述发光二极管外延片，其特征在于：所述的第二子层的Eg2和第一子层的Eg1的能级带隙差值为0.25~0.30eV。
17.根据权利要求13所述发光二极管外延片，其特征在于：所述周期结构的数量为2~20。
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