[实用新型]电容器阵列结构有效
| 申请号： | 201820728490.0 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN208873721U | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08;H01L29/92 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种电容器阵列结构，包括：半导体衬底；下电极层，形成于所述半导体衬底上，所述下电极层的截面形状包括U型，且所述下电极层的内表面及外表面扩散植入氮离子；电容介质层，覆盖于所述下电极层的内表面及外表面；上电极层，覆盖于所述电容介质层的外表面。通过对下电极层中植入氮离子，氮离子可有效将下电极层中的杂质挤出，从而有效提高了电容器的电连接稳定性及电荷存储能力，同时降低了电容器的漏电率。 | ||
| 搜索关键词： | 下电极层 氮离子 电容器 电容器阵列结构 电容介质层 内表面 衬底 植入 半导体 电荷存储能力 电连接稳定性 本实用新型 截面形状 漏电 电极层 覆盖 挤出 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种电容器阵列结构，其特征在于，所述电容器阵列包括：半导体衬底；下电极层，形成于所述半导体衬底上，所述下电极层的截面形状包括U型，且所述下电极层的内表面及外表面扩散植入氮离子；电容介质层，覆盖于所述下电极层的内表面及外表面；上电极层，覆盖于所述电容介质层的外表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
