[实用新型]电容器阵列结构有效
| 申请号： | 201820728490.0 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN208873721U | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08;H01L29/92 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 下电极层 氮离子 电容器 电容器阵列结构 电容介质层 内表面 衬底 植入 半导体 电荷存储能力 电连接稳定性 本实用新型 截面形状 漏电 电极层 覆盖 挤出 扩散 | ||
1.一种电容器阵列结构，其特征在于，所述电容器阵列包括：
半导体衬底；
下电极层，形成于所述半导体衬底上，所述下电极层的截面形状包括U型，且所述下电极层的内表面及外表面扩散植入氮离子；
电容介质层，覆盖于所述下电极层的内表面及外表面；
上电极层，覆盖于所述电容介质层的外表面。
2.根据权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述下电极层的材料包含氮化钛。
3.根据权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述下电极层的材料包含由氧化钛、碳化钛以及钨组成的群组中的一种。
4.根据权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述电容器阵列结构还包括顶层支撑层、中间支撑层及底层支撑层，均形成于所述半导体衬底上并连接所述下电极层，其中，所述顶层支撑层连接所述下电极层的开口外围，所述中间支撑层连接所述下电极层的中部，所述底层支撑层形成于所述半导体衬底表面且连接所述下电极层的底部外围。
5.根据权利要求4所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述顶层支撑层、中间支撑层及底层支撑层的材料包含由氮化硅、氮氧化硅组成的群组中的一种。
6.根据权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述电容器阵列结构还包括上电极填充层，覆盖所述上电极层的外表面，并填满所述上电极层之间的间隙。
7.根据权利要求1所述的电容器阵列结构，其特征在于：所述上电极层的材料包含由多晶硅、氮化钛、氧化钛、碳化钛以及钨组成的群组中的一种，所述电容介质层的材料包含由氧化锆、氧化铪、钛锆氧化物、氧化钌、氧化锑、氧化铝组成的群组中的一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
