[实用新型]一种超高光功率密度LED光源有效

专利信息
申请号: 201820717582.9 申请日: 2018-05-15
公开(公告)号: CN208208753U 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 支柱 申请(专利权)人: 深圳市立洋光电子股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙) 44276 代理人: 张朝阳;袁浩华
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 提供了一种超高光功率密度LED光源,包括陶瓷基板、陶瓷框架、第一线路层、LED芯片、以及混合有荧光粉的硅胶;陶瓷基板的上方设有第一线路层,第一线路层的上方设有多个LED芯片,LED芯片与第一线路层通过焊料连接,多个LED芯片围成的LED芯片区域的外围设有陶瓷框架,且陶瓷框架与第一线路层通过粘接胶连接;LED芯片的表面涂覆有硅胶;陶瓷基板和陶瓷框架的材质均为氮化铝。本实用新型增加了陶瓷框架,且陶瓷框架和陶瓷基板的材质均为氮化铝,进而使得荧光粉被LED芯片激发后产生的热量能够很好的传导出去,从而实现了高度集成、微型化,从而实现LED光源单位面积上的功率增加,产品功率可以达到5~50W,并提高光功率,产品发光功率密度可以到96W/CM²。
搜索关键词: 陶瓷框架 线路层 陶瓷基板 光功率 荧光粉 氮化铝 硅胶 微型化 本实用新型 表面涂覆 产品功率 发光功率 高度集成 功率增加 焊料连接 粘接胶 传导 外围 激发
【主权项】:
1.一种超高光功率密度LED光源,其特征在于:包括陶瓷基板、陶瓷框架、第一线路层、LED芯片、以及混合有荧光粉的硅胶;所述陶瓷基板的上方设有第一线路层,所述第一线路层的上方设有多个LED芯片,所述LED芯片与所述第一线路层通过焊料连接,多个所述LED芯片围成的LED芯片区域的外围设有所述陶瓷框架,且所述陶瓷框架与所述第一线路层通过粘接胶连接;所述LED芯片的表面涂覆有所述硅胶;所述陶瓷基板和所述陶瓷框架的材质均为氮化铝。
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