[实用新型]一种微型发光二极管的巨量转移装置有效
| 申请号： | 201820458865.6 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN208000901U | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈祖辉;田洪涛;赵晓刚;林金堂;叶芸;胡海龙;陈耿旭;黄屏;林碧新;吴莉;力尚猛 | 申请（专利权）人： | 泉州市盛维电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362200 福建省泉州市晋*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种微型发光二极管的巨量转移装置，涉及发光显示领域，包括微型发光二极管阵列凹槽板（1）和微型发光二极管元件（2），所述微型发光二极管元件（2）被放置于所述微型发光二极管阵列凹槽板（1）的微型发光二极管凹槽（11）中，在所述微型发光二极管阵列凹槽板（1）下方设置有水平吹风装置（3）和竖直吹风及震荡装置（4），在所述微型发光二极管阵列凹槽板（1）上方设置有检测装置（5），所述微型发光二极管阵列凹槽板（1）包括基板层（100）、驱动电路层（101）和保护层（102）。本实用新型的一种微型发光二极管的巨量转移装置，不使用转移模具，工艺简单，良率高，转移精度高，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 微型发光二极管 阵列凹槽 转移装置 本实用新型 驱动电路层 发光显示 检测装置 水平吹风 震荡装置 保护层 基板层 良率 竖直 吹风 模具 | ||
【主权项】：
1.一种微型发光二极管的巨量转移装置，包括微型发光二极管阵列凹槽板（1）和微型发光二极管元件（2），其特征在于，所述微型发光二极管元件（2）被放置于所述微型发光二极管阵列凹槽板（1）的微型发光二极管凹槽（11）中，在所述微型发光二极管阵列凹槽板（1）下方设置有水平吹风装置（3）和竖直吹风及震荡装置（4），在所述微型发光二极管阵列凹槽板（1）上方设置有检测装置（5），所述微型发光二极管阵列凹槽板（1）包括基板层（100）、驱动电路层（101）和保护层（102）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泉州市盛维电子科技有限公司，未经泉州市盛维电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820458865.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种全自动硅片插片机的硅片输出机构
- 下一篇：一种二极管排放供料机构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
