[实用新型]一种微型发光二极管的巨量转移装置

说明书

本实用新型公开了一种微型发光二极管的巨量转移装置，涉及发光显示领域，包括微型发光二极管阵列凹槽板（1）和微型发光二极管元件（2），所述微型发光二极管元件（2）被放置于所述微型发光二极管阵列凹槽板（1）的微型发光二极管凹槽（11）中，在所述微型发光二极管阵列凹槽板（1）下方设置有水平吹风装置（3）和竖直吹风及震荡装置（4），在所述微型发光二极管阵列凹槽板（1）上方设置有检测装置（5），所述微型发光二极管阵列凹槽板（1）包括基板层（100）、驱动电路层（101）和保护层（102）。本实用新型的一种微型发光二极管的巨量转移装置，不使用转移模具，工艺简单，良率高，转移精度高，成本低。

技术领域

本实用新型涉及发光显示领域，尤其涉及一种微型发光二极管的巨量转移装置。

背景技术

微型发光二极管（Micro LED）是将传统的LED结构进行微小化和矩阵化，并采用CMOS集成电路工艺制成驱动电路，来实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。由于微型发光二极管的亮度、寿命、对比度、反应时间、能耗、可视角度和分辨率等各种指标都强于LCD和OLED技术，加上其属于自发光、结构简单、体积小和节能的优点，已经被许多产家视为下一代显示技术而开始积极布局。微型发光二极管在产业化过程中面临的一个核心技术难题是微型发光二极管元器件的巨量转移（Mass Transfer）技术。由于巨量转移技术要求非常高的效率、良品率和转移精度，巨量转移技术成为了微型发光二极管研发过程的最大挑战，阻碍了微型发光二极管技术的推广与使用。

因此，如何制作（设计）出一整套简单实用、经济性好、效率高、良品率高和转移精度高的巨量转移装置是本实用新型要解决的问题。

实用新型内容

有鉴于现有技术的上述缺陷，本实用新型所要解决的技术问题是制作出一种简单实用、经济性好、效率高、良品率高和转移精度高的巨量转移装置及方法。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种微型发光二极管的巨量转移装置，包括微型发光二极管阵列凹槽板和微型发光二极管元件，所述微型发光二极管元件被放置于所述微型发光二极管阵列凹槽板的微型发光二极管凹槽中，在所述微型发光二极管阵列凹槽板下方设置有水平吹风装置和竖直吹风及震荡装置，在所述微型发光二极管阵列凹槽板上方设置有检测装置，所述微型发光二极管阵列凹槽板包括基板层、驱动电路层和保护层。

进一步地，所述微型发光二极管元件包括n型GaN层和p型GaN层，所述n型GaN层和所述p型GaN层被设置在同一层，所述微型发光二极管元件为非对称结构。

进一步地，在所述基板层上制作微型发光二极管的驱动电路层。

进一步地，在所述驱动电路层上制作所述保护层，所述保护层为二氧化硅。

进一步地，所述保护层的厚度为10纳米至500微米。

进一步地，在所述保护层上通过蚀刻方法制作微型发光二极管凹槽，用于放置微型发光二极管元件。

进一步地，所述微型发光二极管凹槽预设有电极，用于与所述微型发光二极管元件的电极连接。

进一步地，在所述微型发光二极管凹槽预设的电极包括p型GaN层连接电极和n型GaN层连接电极，所述p型GaN层连接电极与p型GaN层连接，所述n型GaN层连接电极与n型GaN层连接。

本实用新型还提供了一种微型发光二极管的巨量转移装置的使用方法，包括以下步骤：

S1，在基板上标示微型发光二极管形状，形成微型发光二极管阵列板，使得微型发光二极管元件的P极和N极在同一侧，微型发光二极管元件为非对称结构；

S2，在微型发光二极管阵列板上方涂覆导电涂层，形成导电涂层板，这种导电涂层在平面方向上不导电，只能在Z轴方向上导电，如ACP胶，烘干所述导电涂层板，切割得到微型发光二极管元件；