[实用新型]一种高存储电容的液晶显示装置有效
| 申请号： | 201820378507.4 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN208013634U | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 林建伟;庄崇营;李林 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 邓义华;廖苑滨 |
| 地址： | 516600 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高存储电容的液晶显示装置，解决的是存储电容低的技术问题，通过采用所述高存储电容的液晶显示装置包括多个像素，像素的存储电容为金属绝缘层金属MIM结构的技术方案，较好的解决了该问题，可用于所述高存储电容的液晶显示装置包括多个像素，像素的存储电容为金属绝缘层金属MIM结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 存储电容 液晶显示装置 像素 金属绝缘层 本实用新型 金属 可用 | ||
【主权项】：
1.一种高存储电容的液晶显示装置，其特征在于：所述高存储电容的液晶显示装置包括多个像素，像素的存储电容为金属绝缘层金属MIM结构；所述像素包括栅极线层，有源层，数据线层，过孔层以及像素电极层；所述栅极线层包括第一栅极线（1）和第二栅极线（2），第一栅极线（1）与第二栅极线（2）之间设置第一缝隙；所述第二栅极线（2）为矩型环状栅极线，第二栅极线（2）的下边与第一栅极线（1）之间设置有矩型锯齿状栅极线（6）。
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