[实用新型]一种高存储电容的液晶显示装置

说明书

本实用新型涉及一种高存储电容的液晶显示装置，解决的是存储电容低的技术问题，通过采用所述高存储电容的液晶显示装置包括多个像素，像素的存储电容为金属绝缘层金属MIM结构的技术方案，较好的解决了该问题，可用于所述高存储电容的液晶显示装置包括多个像素，像素的存储电容为金属绝缘层金属MIM结构中。

技术领域

本实用新型涉及高存储电容的液晶显示装置领域，具体涉及一种高存储电容的液晶显示装置。

背景技术

薄膜晶体管，称为TFT。随着TFT-LCD行业的不断发展，使用者对显示器的要求也越来越高。产品竞争力高的显示器必须具备品质优良、经济性、实用性等多方面优点。品质的优点包括对比度高、清晰度高、广视角等；经济性的优点包括功耗低，使用成本低，生产成本低等；实用性的优点包括柔性，尺寸适中，能显示多种信息格式。

现有液晶显示装置存在存储电容低，进而影响开口率的问题。因此，提供一种结构简单而存储电容高的液晶显示装置就很有必要。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是现有技术中存在存储电容低的技术问题。提供一种新的高存储电容的液晶显示装置，该液晶显示装置具有像素开口率高、结构简单的、存储电容高的特点。

为解决上述技术问题，采用的技术方案如下：

一种高存储电容的液晶显示装置，所述高存储电容的液晶显示装置包括多个像素，像素的存储电容为金属绝缘层金属MIM结构。

本实用新型的工作原理：开口率指除去每一个次像素的配线部、晶体管部（通常采用黑色矩阵隐藏）后的光线通过部分的面积和每一个次像素整体的面积之间的比例。开口率越高，光线通过的效率越高。当光线经由背光板发射出来时，并不是所有的光线都能穿过面板，比如给 LCD source 驱动芯片及gate驱动芯片用的信号走线，以及TFT本身，还有储存电压用的储存电容等。这些地方除了不完全透光外，也由于经过这些地方的光线不受电压控制，而无法显示正确的灰阶，所以都需利用黑底加以遮蔽，以免干扰其它透光区域。而有效的透光区域与全部面积的比例就称之为开口率。而本实用新型通过将像素的存储电容为金属绝缘层金属MIM结构，通过减少存储电容的距离，来增加存储电容，提高开口率，提升产品性能。

上述方案中，为优化，进一步地，所述像素包括栅极线层，有源层，数据线层，过孔层以及像素电极层；

所述栅极线层包括第一栅极线和第二栅极线，第一栅极线与第二栅极线之间设置第一缝隙；所述第二栅极线为矩型环状栅极线，第二栅极线的下边与第一栅极线之间设置有矩型锯齿状栅极线。

进一步地，所述数据线层包括第一数据线和第二数据线，第二数据线连接有第三数据线，第三数据线为与第二栅极线位置对应的矩型环状数据线。

本实用新型的有益效果：本实用新型将像素的存储电容CS做成金属绝缘层金属MIM结构，通过减少存储电容的距离，来增加存储电容，提升产品性能；实现了结构简单就能够提高像素开口率的目的。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1，实施例1中的栅极线层示意图。

图2，实施例1中有源层示意图。

图3，实施例1中数据线层示意图。

图4，实施例1中过孔层示意图。

图5，实施例1中的像素电极层示意图。

图中：1-第一栅极线，2-第二栅极线，3-第一数据线，4-第二数据线，5-第三数据线，6-矩型锯齿状栅极线。

具体实施方式