[实用新型]微发光二极管模块有效
| 申请号： | 201820351272.X | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN208014702U | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 李远智;李家铭 | 申请（专利权）人： | 同泰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种微发光二极管模块，其包括多个并排的覆晶LED及一光感成像介质层，该些覆晶LED具有一发光侧及一电连接侧，各该覆晶LED的电连接侧具有一P极电接点及一N极电接点，电介质层形成于该些覆晶LED的电连接侧，且电介质层内形成有多个电信道，该些电信道中形成有多个分别对应该些覆晶LED的P极电接点及N极电接点的电路，各该电路并与其相对应的P极电接点或N极电接点接触。本实用新型通过在预先排列好的LED数组上直接重制电路，不但加工良率高，制程时间也预计可以大幅缩短。 | ||
| 搜索关键词： | 电接点 覆晶 电连接 微发光二极管 电路 本实用新型 电介质层 成像介质 电信 良率 制程 发光 加工 | ||
【主权项】：
1.一种微发光二极管模块，其特征在于，包括：多个并排的覆晶LED，该些覆晶LED具有一发光侧及一电连接侧，各该覆晶LED的电连接侧具有一P极电接点及一N极电接点；以及一电介质层，形成于该等覆晶LED的电连接侧，该电介质层内形成有多个电信道，该些电信道中形成有多个分别对应该些覆晶LED的P极电接点及N极电接点的电路，各该电路并与其相对应的P极电接点或N极电接点接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
