[实用新型]微发光二极管模块

说明书

本实用新型提供一种微发光二极管模块，其包括多个并排的覆晶LED及一光感成像介质层，该些覆晶LED具有一发光侧及一电连接侧，各该覆晶LED的电连接侧具有一P极电接点及一N极电接点，电介质层形成于该些覆晶LED的电连接侧，且电介质层内形成有多个电信道，该些电信道中形成有多个分别对应该些覆晶LED的P极电接点及N极电接点的电路，各该电路并与其相对应的P极电接点或N极电接点接触。本实用新型通过在预先排列好的LED数组上直接重制电路，不但加工良率高，制程时间也预计可以大幅缩短。

技术领域

本实用新型是关于一种显示面板用的微发光二极管模块。

背景技术

液晶(LCD)显示面板及有机发光二极管(OLED)显示面板为目前常见的显示面板，相较于OLED显示面板的每个像素都会自发光，以往的LCD显示面板由于需通过电流控制每个像素点的过光率，无可避免地会发生漏光的现象，因而导致现有技术LCD显示面板的对比度及呈色表现均不如OLED显示面板。

为了改善LCD显示面板对比度不足的问题，业界提出一种具有微发光二极管(Micro LED)的直下型背光模块，通过背光模块中众多LED的明暗控制，可大幅减少以往LCD显示面板常见的漏光现象，使对比度及呈色表现大幅提升。除此之外，微发光二极管也可使用三原色LED作为自发光显示画素，而直接作为LED显示面板使用。

以往Micro LED技术涉及LED芯片的巨量转移(Mass Transfer)，亦即需要将众多LED芯片批量地转移到预先制好的电路基板上，现有技术的巨量转移技术例如图21至图25所示，首先提供一预先制好的集成电路载板1，而后在集成电路载板1上的多个电接点2印刷锡膏3，接着提供一个载有多个LED芯片4的载板5，令LED芯片4的P极、N极电接点6a、6b分别正对电路载板1的多个电接点2，最后重熔锡膏3，使P极、N极电接点6a、6b与电路载板1的多个电接点2电性连接。

现有技术巨量转移技术仍有其技术瓶颈在于，随着LED芯片的微型化趋势，若一次转移大量LED芯片，则对于转移设备的精度要求极高，良率难以提升；若一次仅转移少量LED芯片，则转移时间将会显著增加，产能难以提升。

因此，如何改善现有技术Micro LED技术所面临巨量转移瓶颈，实是值得本领域人士思量的。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种不需将LED芯片转移到预制电路基板的微发光二极管模块。

为了达成上述及其它目的，本实用新型提供一种微发光二极管模块，其包括多个并排的覆晶LED及一光感成像介质层，该些覆晶LED具有一发光侧及一电连接侧，各该覆晶LED的电连接侧具有一P极电接点及一N极电接点，电介质层形成于该些覆晶LED的电连接侧，且电介质层内形成有多个电信道，该些电信道中形成有多个分别对应该些覆晶LED的P极电接点及N极电接点的电路，各该电路并与其相对应的P极电接点或N极电接点接触。

通过上述技术，本实用新型并不采用以往需要将LED数组巨量转移到预制电路基板的制程，而改为在预先排列好的LED数组上直接重制电路，此制法不但加工良率高，而且设备投资成本低，将大大有助于Micro LED技术的推广应用。

有关本实用新型的其它功效及实施例的详细内容，配合图式说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本实用新型微发光二极管模块其中一实施例的剖面示意图；

图2至图20为本实用新型微发光二极管模块其中一实施例的制造过程的剖面示意图；