[实用新型]一种抗总剂量效应的半导体版图结构有效
| 申请号： | 201820152629.1 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN207753016U | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 赵静;李云;连颖;张雨;田浩;胡宏伟;吴和然;杨雪;刘智东 | 申请（专利权）人： | 成都天诚慧芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 郭彩红 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种抗总剂量效应的半导体版图结构，包括半导体器件；所述半导体器件包括一个或多个第一有源区、一个或多个第二有源区和一个或多个栅极区；所述第一有源区和第二有源区分别位于栅极区的相对的两侧，掺杂类型相同，分别为半导体结构的源极和漏极；还包括隔离区；所述隔离区包括第一隔离区和第二隔离区，分别位于所述半导体器件的源端外侧和漏端外侧，且被分隔开来独立设置。分开源漏两端的隔离区，使总剂量效应引起的寄生晶体管无法导通，这样总剂量效应也就不会通过这个寄生器件而影响半导体器件本身的电气特性，进而实现抗总剂量效应的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 总剂量效应 隔离区 源区 半导体器件 半导体版图 栅极区 影响半导体器件 半导体结构 本实用新型 寄生晶体管 掺杂类型 电气特性 独立设置 寄生器件 导通 漏端 漏极 源端 源极 源漏 分隔 | ||
【主权项】：
1.一种抗总剂量效应的半导体版图结构，其特征在于：包括半导体器件；所述半导体器件包括一个或多个第一有源区、一个或多个第二有源区和一个或多个栅极区；所述第一有源区和第二有源区分别位于栅极区的相对的两侧，掺杂类型相同，分别为半导体结构的源极和漏极；还包括隔离区；所述隔离区包括第一隔离区和第二隔离区，分别位于所述半导体器件的源端外侧和漏端外侧，且被分隔开来独立设置。
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