[实用新型]一种抗总剂量效应的半导体版图结构

说明书

本实用新型提供了一种抗总剂量效应的半导体版图结构，包括半导体器件；所述半导体器件包括一个或多个第一有源区、一个或多个第二有源区和一个或多个栅极区；所述第一有源区和第二有源区分别位于栅极区的相对的两侧，掺杂类型相同，分别为半导体结构的源极和漏极；还包括隔离区；所述隔离区包括第一隔离区和第二隔离区，分别位于所述半导体器件的源端外侧和漏端外侧，且被分隔开来独立设置。分开源漏两端的隔离区，使总剂量效应引起的寄生晶体管无法导通，这样总剂量效应也就不会通过这个寄生器件而影响半导体器件本身的电气特性，进而实现抗总剂量效应的目的。

技术领域

本实用新型涉及一种抗总剂量效应的半导体版图结构，涉及集成电路领域。

背景技术

集成电路等电子器件的应用越发广泛，不仅是在消费类电子、家电类等商用领域具有爆发式的增长，在航空、航天、战略式武器等特殊环境的应用也十分重要，但是由于此类环境中存在大量的辐射粒子，严重危害了集成电子器件的工作特性及寿命，其中总剂量效应更是对大部分的系统都存在严重影响。

抗总剂量效应的加固设计包括系统级加固、电路级加固和工艺级加固，由于系统级加固和电路级的加固具有无法有效仿真验证，导致加固设计严重依赖于理论分析，这就导致了设计难度及有效性。而工艺加固是针对器件结构进行的加固设计，可以进行仿真验证，并且可移植性高，只要采用此种加固器件的电路均可实现抗总剂量效应。

已知的加固器件结构有环形栅结构、H型栅结构及马蹄形栅结构等，这些结构虽然具有加固作用，然而在布局实现时无法合并处理，所以浪费很多面积。

实用新型内容

本实用新型提出了一种高效的抗总剂量效应的半导体版图结构，具有占用面积小，易布局实现的特点。

本实用新型采用的技术方案如下：一种抗总剂量效应的半导体版图结构，包括半导体器件；所述半导体器件包括一个或多个第一有源区、一个或多个第二有源区和一个或多个栅极区；所述第一有源区和第二有源区分别位于栅极区的相对的两侧，掺杂类型相同，分别为半导体结构的源极和漏极；还包括隔离区；所述隔离区包括第一隔离区和第二隔离区，分别位于所述半导体器件的源端外侧和漏端外侧，且被分隔开来独立设置。

还包括第三有源区，与所述第一有源区、第二有源区、隔离区和栅极区相接，并包围除栅极区域以外的其他部分，及包围全部或部分栅极区域，掺杂类型与第一有源区和第二有源区的掺杂类型相反；所述第三有源区与所述第一有源区和第二有源区结构配合，将所述隔离区的第一隔离区和第二隔离区分隔开来独立设置。

所述栅极区一侧延伸至第三有源区的外侧。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：总剂量效应也不会通过这个寄生器件而影响半导体器件本身的电气特性，进而实现抗总剂量效应的目的。

附图说明

图1为本实用新型其中一实施例的结构示意图。

图2为图1所示实施例中的剖面图。

图3为本实用新型另一实施例的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本说明书（包括任何摘要和附图）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或者具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。